초록 ▼

본 발명은 위상반전마스크 형성방법에 관한 것으로, 투명기판 상부에 차광패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 영역의 차광패턴과 위상반전되는 영역의 선폭을 달리하여 상기 두 영역간의 빛의 세기 차이를 크게하고 상기 차광패턴 사이에 감광막패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 부분에 형성한 다음, 상기 감광막패턴과 차광패턴을 마스크로하여 위상반전영역의 투명기판을 소정두께 식각하여 홈을 형성하고 상기 위상반전되는 영역의 차광패턴 하부를 소정두께 습식방법으로 측면식각하여 반도체기판 상부의 불필요한 패턴 발생을 방지하되, 상기 홈 내부에 남는 투

본 발명은 위상반전마스크 형성방법에 관한 것으로, 투명기판 상부에 차광패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 영역의 차광패턴과 위상반전되는 영역의 선폭을 달리하여 상기 두 영역간의 빛의 세기 차이를 크게하고 상기 차광패턴 사이에 감광막패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 부분에 형성한 다음, 상기 감광막패턴과 차광패턴을 마스크로하여 위상반전영역의 투명기판을 소정두께 식각하여 홈을 형성하고 상기 위상반전되는 영역의 차광패턴 하부를 소정두께 습식방법으로 측면식각하여 반도체기판 상부의 불필요한 패턴 발생을 방지하되, 상기 홈 내부에 남는 투명기판의 잔유물이 60도 이상의 위상반전을 일으키지 못하도록 한 다음, 상기 감광막패턴을 제거하여 위상반전마스크를 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

대표청구항 ▼

공지의 기술로 형성된 레벤슨형 위상반전마스크의 위상반전영역에 발생되는 결함을 제거할 수 있는 위상반전마스크 형성방법에 있어서, 투명기판 상부에 차광패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 영역의 차광패턴과 위상반전되는 영역의 선폭을 달리하여 상기 두 영역간의 빛의 세기 차이를 크게하는 공정과, 상기 차광패턴사이에 감광막패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 부분에 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 차광패턴을 미스크로하여 위상반전영역의 투명기판을 소정두께 식각하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 위상반전되는 영역의 차광패턴 하부를 소정두께 습식

공지의 기술로 형성된 레벤슨형 위상반전마스크의 위상반전영역에 발생되는 결함을 제거할 수 있는 위상반전마스크 형성방법에 있어서, 투명기판 상부에 차광패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 영역의 차광패턴과 위상반전되는 영역의 선폭을 달리하여 상기 두 영역간의 빛의 세기 차이를 크게하는 공정과, 상기 차광패턴사이에 감광막패턴을 형성하되, 위상반전되지 않는 부분에 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 차광패턴을 미스크로하여 위상반전영역의 투명기판을 소정두께 식각하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 위상반전되는 영역의 차광패턴 하부를 소정두께 습식방법으로 측면식각하여 반도체기판 상부의 불필요한 패턴 발생을 방지하되, 상기 홈 내부에 남는 투명기판의 잔유뮬이 60도 이상의 위상반전을 일으키지 못하도록 하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 위상반전마스크 형성방법.