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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0021828 (1996-06-17) |
공개번호 | 10-1998-0006546 (1998-03-30) |
등록번호 | 10-0408499-0000 (2003-11-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960021828 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-02-19) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 실리콘 기판과 그 기판상에 순차적으로 형성된 제1장벽 금속층 2장벽 금속층 및 전도성 금속층을 포함하는 전극이 구비되어 있는 실리콘 태양전자에 있어서, 상기 제1장벽 금속층이 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 형성되며, 제2장벽 금속층이 팔라듐(Pd)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 기판과 전극간의 저항이 감소됨으로써 변환효율이 향상된 전지를 얻을 수 있다.
실리콘 그 기판상에 순차적으로 형성된 제1장벽 금속층, 제2장벽 금속층 및 전도성 금속층을 포함하는 전극이 구비되어 있는 실리콘 태양전자에 잇어서, 상기 제1장벽 금속층이 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탈륨(Ta) 및 텅스턴(W)으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속으로 형성되며, 제2장벽 금속층이 팔라듐(Pd)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지.
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