초록 ▼

본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 광경화성 고분자 및 감광제를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 감광제가 4,4'-디아지도-2,2'-스틸벤 디설포네이트 소디윰 염, 4,4'-디아조-2,2'-디벤잘아세톤 디설포네이트 디소디윰 염, 2,5-비스(4-아지도-2-설포벤질리덴)사이클로펜타논 디소디윰 염 및 4,4'-디아지도-2,2'-디시나밀리덴아세톤 설포네이트 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘 이상을 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여 리소그래피 공정을 거칠 경우, 노광 시간을 단축할 수 있어서 제품의 생산

본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 광경화성 고분자 및 감광제를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 감광제가 4,4'-디아지도-2,2'-스틸벤 디설포네이트 소디윰 염, 4,4'-디아조-2,2'-디벤잘아세톤 디설포네이트 디소디윰 염, 2,5-비스(4-아지도-2-설포벤질리덴)사이클로펜타논 디소디윰 염 및 4,4'-디아지도-2,2'-디시나밀리덴아세톤 설포네이트 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘 이상을 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여 리소그래피 공정을 거칠 경우, 노광 시간을 단축할 수 있어서 제품의 생산성 향상에 기여할 수 있다.

대표청구항 ▼

광경화성 고분자 및 감광제를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 감광제는 4,4'-디아지도-2,2'-스틸벤디설포네이트 소디윰 염, 4,4'-디아조-2,2'-디벤잘아세톤 디설포네이트 디소디윰 염, 2,5-비스(4-아지도-2-설포벤질리덴) 사이클로펜타논 디소디윰 염 및 4,4'-디아지도-2,2'-디시나밀리덴아세톤 설포네이트 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물. 제1항에 있어서, 상기 광경화성 고분자는 폴리비닐피롤리돈 및 폴리(아크릴아미드-코-디아세톤아크릴아미드)로 이

광경화성 고분자 및 감광제를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 감광제는 4,4'-디아지도-2,2'-스틸벤디설포네이트 소디윰 염, 4,4'-디아조-2,2'-디벤잘아세톤 디설포네이트 디소디윰 염, 2,5-비스(4-아지도-2-설포벤질리덴) 사이클로펜타논 디소디윰 염 및 4,4'-디아지도-2,2'-디시나밀리덴아세톤 설포네이트 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 둘이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물. 제1항에 있어서, 상기 광경화성 고분자는 폴리비닐피롤리돈 및 폴리(아크릴아미드-코-디아세톤아크릴아미드)로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물. 제1항에 있어서, 상기 감광제는 상기 광경화성 고분자에 대하여 1 내지 20중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.제1항에 있어서, 상기 감광제는 4,4'-디아조-2,2'-디벤잘아세톤 디설포네이트 디소디윰 염, 2,5-비스(4-아지도-2-설포벤질리덴) 사이클로펜타논 디소디윰 염 및 4,4'-디아지도-2,2'-디시나밀리덴아세톤 설포네이트 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 및 4,4'-디아지도-2,2'-스틸벤디설포네이트 소디윰 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.제4항에 있어서, 상기 4,4'-디아지도-2,2'-스틸벤디설포네이트 소디윰 염은 상기 감광제 전체 중량에 대하여 10 내지 90중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.