IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-1996-0703730
(1996-07-06)
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공개번호 |
10-1997-0700430
(1997-01-08)
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등록번호 |
10-0232660-0000
(1999-09-07)
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국제출원번호 |
PCT/JP1996/000723
(1996-03-19)
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국제공개번호 |
WO1996029736
(1996-09-26)
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번역문제출일자 |
1996-07-06
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1019960703730
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발명자
/ 주소 |
- 이케다 가즈오
/ 일본국 가나가와현 요코하마시 도츠카구 가미야베정****-*
- 고모리타 히로시
/ 일본국 가나가와현 요코하마시 고호쿠구 후토정 ***-***
- 사토 요시토시
/ 일본국 가나가와현 요코하마시 이소고구 히가시정 **-*-***
- 고마츠 미치야시
/ 일본국 가나가와현 요코하마시 사카에구 가미고정 ***-**-*-***
- 미즈노야 노부유키
/ 일본국 가나가와현 요코하마시 가나자와구 도미오카히가시 *-**,*-***
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출원인 / 주소 |
- 가부시끼가이샤 도시바 / 일본국 도꾜도 미나또꾸 시바우라 *쪼메 *방 *고
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대리인 / 주소 |
-
김윤배;
이범일
(KIM, Yoon Bae)
-
서울 종로구 관훈동 ***-* 동덕빌딩 *층;
서울 종로구 관훈동 ***-* 동덕빌딩 *층(대양국제특허법률사무소)
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심사청구여부 |
있음 (1996-07-06) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
[구성]열전도율이 60w/m.k 이상인 고열전도성 질화규소기판상에 금속회로판을 접합하여 이루어진 질화규소 회로기판에 있어서, 상기 고열전도성 질화 규소기판의 두께를 ds, 금속회로판의 두께를 dm으로 한 때에 관계식 ds<-2dm을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.
대표청구항
▼
열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판상에 금속회로판을 접합하여 이루어진 질화규소 회로기판에 있어서, 상기 고열전도성 질화 규소기판의 두께를 DS, 금속회로판의 두께를 DM으로 한 때에 관계식 DS≤2DM을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항에 있어서, 고열전도성 질화 규소기판의 두께 (DS) 및 금속회로판의 두께(DM)가 관계식 DM≤DS≤(5/3)DM을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판상에 Ti, Zr, Hf 및 Nb에서 선택되는 적어도 1종
열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판상에 금속회로판을 접합하여 이루어진 질화규소 회로기판에 있어서, 상기 고열전도성 질화 규소기판의 두께를 DS, 금속회로판의 두께를 DM으로 한 때에 관계식 DS≤2DM을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항에 있어서, 고열전도성 질화 규소기판의 두께 (DS) 및 금속회로판의 두께(DM)가 관계식 DM≤DS≤(5/3)DM을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판상에 Ti, Zr, Hf 및 Nb에서 선택되는 적어도 1종의 활성금속을 함유하는 금속접합층을 매개로 금속회로판을 접합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판상에 산화층을 매개로 금속회로판을 직접 접합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판에 회로층을 일체로 접합한 회로기판으로서, 회로 기판을 50㎜의 지지간격으로 유지한 상태에서 중앙부에 하중을 부가한 때에 질화규소기판이 파단(破斷)에 이르기 까지의 최대 편향량이 0.6㎜이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판에 회로층을 일체로 접합한 회로기판으로서, 회로기판을 50㎜의 지지간격으로 유지한 상태에서 항절시험을 실시한 때에 항절강도가 500MPa 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제5항 또는 제6항에 있어서, 회로층이 동회로판이고, 이 동회로판이 Cu-O 공정화합물에 의해 질화규소기판에 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제5항 또는 제6항에 있어서, 회로층이 동회로판이고, Ti, Zr, Hf 및 Nb에서 선택되는 적어도 1종의 활성금속을 함유하는 활성금속층을 매개로 상기 동회로판이 질화규소기판에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 규소 회로기판.제5항 또는 제6항에 있어서, 회로층은 W 또는 Mo에 Ti, Zr, Hf 및 Nb에서 선택되는 적어도 1종의 활성금속을 함유하는 고융점 금속 메탈라이즈층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항, 제5항 및 제6항중 어느 한 항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판이 희토류 원소를 산화물로 환산하여 2.0~17.5 중량%, 불순물 양이온 원소로서의 Li, Na, K, Fe, Ca, Mg, Sr, Ba, Mn, B를 합계로 0.3 중량%이하 함유하는 질화규소 소결체로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제1항, 제5항 및 제6항중 어느 한 항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판이 희토류 원소를 산화물로 환산하여 2.0~17.5 중량% 함유하고, 질화규소 결정상 및 입계상으로 이루어짐과 더불어 입계상중에서의 결정화합물상의 입계상 전체에 대한 비율이 20% 이상인 질화규소 소결체로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로 기판.희토류 원소를 산화물로 환산하여 2.0~17.5 중량%, 불순물 양이온 원소로서의 Li, Na, K, Fe, Ca, Mg, Sr, Ba, Mn, B를 합계로 0.3 중량%이하 함유하고, 열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판의 표면에 두께가 0.5~10㎛의 산화물층이 형성되며, 이 산화물층을 매개로 금속회로기판이 상기 질화규소기판에 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.질화규소입자 및 입계상으로 구성되고, 입계상중에서의 결정화합물상이 입계상 전체에 대한 비율로 20%이상을 차지하며, 열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판의 표면에 두께가 0.5~10㎛의 산화물층이 형성되고, 이 산화물층을 매개로 금속회로기판이 상기 질화규소기판에 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제12항 또는 제13항에 있어서, 금속회로판이 표면에 두께 1.0㎛ 이상의 산화동층을 동회로판인 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제12항 또는 제13항에 있어서, 금속회로판이 산소를 100 ~ 1000ppm 함유한 터프피치 전해동으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제12항 또는 제13항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판이 조면화가공된 표면을 갖춘 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.희토류 원소를 산화물로 환산하여 2.0~17.5 중량%, 불순물 양이온 원소로서의 Li, Na, K, Fe, Ca, Mg, Sr, Ba, Mn, B를 합계로 0.3 중량%이하 함유하고, 열전도율이 60W/m·K 이상인 고열전도성 질화규소기판에 회로층을 접합한 회로기판으로서, 상기 고열전도성 질화규소기판상에 회로층을 매개로 복수의 반도체소자를 탑재한 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.희토류 원소를 산화물로 환산하여 2.0~17.5 중량%, 불순물 양이온 원소로서의 Li, Na, K, Fe, Ca, Mg, Sr, Ba, Mn, B를 합계로 0.3 중량%이하 함유하고, 질화규소 결정상 및 입계상으로 이루어짐과 더불어 입계상 중에서의 결정화합물상의 입계상 전체에 대한 비율이 20%이상이며, 열전도율이 60W/m·K이상인 고열전도성 질화규소기판에 회로층을 접합한 회로기판으로서. 상기 고열전도성 질화규소기판상에 회로층을 매개로 복수의 반도체소자를 탑재한 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.열전도율이 60W/m·K이상인 고열전도성 질화규소기판과 질화알루미늄기판을 동일한 평면상에 배치하고, 상기 고열전도성 질화규소기판 및 상기 질화알루미늄기판의 표면에 형성한 산화층을 매개로 금속회로판을 접합한 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제19항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판 및 질화알루미늄기판의 이면에 형성한 산화층을 매개로 금속판을 접합한 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.열전도율이 60W/m·K이상인 고열전도성 질화규소기판과 질화알루미늄기판을 동일 평면상에 배치하고, 상기 고열전도성 질화규소기판 및 상기 질화알루미늄기판의 표면에 Ti, Zr, Hf 및 Nb 에서 선택되는 적어도 1종의 활성금속을 함유하는 금속접합층이 형성되며, 이 금속접합층을 매개로 금속회로판을 접합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.제21항에 있어서, 고열전도성 질화규소기판 및 질화알루미늄기판의 이면에 형성한 금속접합층을 매개로 금속판을 접합한 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.열전도율이 60W/m·K이상인 고열전도성 질화규소기판과 질화알루미늄기판을 이루어지고, 상기 질화알루미늄기판은 상기 질화규소기판에 의해 끼워짐과 더불어 Ti, Zr, Hf 및 Nb 에서 선택되는 적어도 1종의 활성금속을 함유하는 금속접합층을 매개로 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 질화규소 회로기판.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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