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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0004476 (1997-02-14) |
공개번호 | 10-1998-0068044 (1998-10-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970004476 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
화학 기상 증착법에 의하여 텅스텐 실리사이드층의 형성시에 반응 부산물로 발생하는 염소 오염을 억제하여 안정된 특성을 갖는 텅스텐 실리사이드층을 형성할 수 있는 CVD법에 의한 텅스텐 실리사이드층 형성방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 텅스텐 실리사이드층을 형성하기 위한 챔버에 암모니아(NH3) 가스를 주입하여 염소기를 제거하는 단계와, 상기 챔버로 디클로르실란(SiH2Cl2) 가스를 주입하여 실리콘 시드(seed)를 형성하는 단계와, 상기 챔버로 디클로르실란(SiH2Cl2)과 육불화텅스텐(WF6) 가스를 주입하고
텅스텐 실리사이드층을 형성하기 위한 챔버에 암모니아(NH3) 가스를 주입하여 염소기를 제거하는 단계;상기 챔버로 디클로르실란(SiH2Cl2) 가스를 주입하여 실리콘 시드(seed)를 형성하는 단계;상기 챔버로 디클로르실란(SiH2Cl2)과 육불화텅스텐(WF6) 가스를 주입하고 1차 반응시켜 텅스텐 실리사이드층의 핵(nucleation)을 형성하는 단계;상기 챔버로 디클로르실란(SiH2Cl2)과 육불화텅스텐(WF6) 가스를 주입하고 2차 반응시켜 텅스텐 실리사이드층을 형성하는 단계;상기 챔버로 디클로르실란(SiH2Cl2)을 주입하여
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