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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0005120 (1997-02-20) |
공개번호 | 10-1997-0063761 (1997-09-12) |
등록번호 | 10-0509660-0000 (2005-08-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970005120 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2002-02-15) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
절연막 형성시, 게이트 절연막과 반도체 사이의 계면의 특성을 높이고 역치 전압을 제어하기 위하여, 절연막이 형성될 표면을 미리 활성화된 산소에 노출시킨 후, 절연막을 상기 표면상에 형성하고, 또는 박막 트랜지스터 제조 공정에서, 절연막을 모노실란, 일산화이질소 및, 산소등 원료로 형성한다.
절연막이 형성되는 표면을 활성화 산소에 노출시키는 단계와; 상기 표면상에 상기 절연막을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법.
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