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연합인증

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피막제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/12
출원번호 10-1997-0005120 (1997-02-20)
공개번호 10-1997-0063761 (1997-09-12)
등록번호 10-0509660-0000 (2005-08-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970005120
발명자 / 주소
  • 오호리 다쯔야 / 일본 도쿄도 마치다시 모리노 *-*-*
  • 다케이 미치꼬 / 일본 가나가와켄 아쓰기시 아사히쵸 *-*-*
  • 장홍영 / 일본 가나가와켄 야마토시 후카미다이 *-**-** 파레수미야가미 ***
  • 구로키 히로시 / 일본 가고시마켄 수군 시부시마치 안타쿠 ***
출원인 / 주소
  • 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 / 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
대리인 / 주소
  • 정상구; 이범래; 신현문; 이병호 (JEONG, Sang Goo)
  • 서울 강남구 역삼동***-** 한국타이어빌딩(특허법인태평양); 서울 종로구 수송동**번지 코리안리빌딩*층(법무법인중앙); 서울 종로구 수송동 **번지 코리안리빌딩*층(법무법인중앙); 서울 종로구 수송동 ** 번지코리안리빌딩*층(법무법인중앙)
심사청구여부 있음 (2002-02-15)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록

절연막 형성시, 게이트 절연막과 반도체 사이의 계면의 특성을 높이고 역치 전압을 제어하기 위하여, 절연막이 형성될 표면을 미리 활성화된 산소에 노출시킨 후, 절연막을 상기 표면상에 형성하고, 또는 박막 트랜지스터 제조 공정에서, 절연막을 모노실란, 일산화이질소 및, 산소등 원료로 형성한다.

대표청구항

절연막이 형성되는 표면을 활성화 산소에 노출시키는 단계와; 상기 표면상에 상기 절연막을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법.

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [일본] FORMATION OF GATE INSULATING FILM | OKAMOTO MASAYA, TODA KIYOSHI, ISHII MITSUO
  2. [일본] MANUFACTURE OF TRANSISTOR | NAKATANI YOSHIKI
  3. [한국] 산소가스전처리를 갖는 플라즈마 애싱 방법 | 사또루미하라, 다이스께고마다
  4. [일본] ELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT NONEMISSION TYPE DISPLAY | YAMAZAKI SHUNPEI, TAKEMURA YASUHIKO
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