초록 ▼

FET, 예컨대, MESFET로 구성된 증폭 회로에 관한 것으로, 정전원 설치만으로 충분하며. 부전원이 불필요한 동시에, 게인의 가변폭을 크게 하고. 입력 신호를 크게 감쇠시키고 싶은 경우에 FET를 사용할 수 있게 하고 있다.증폭 소자를 이루는 E형 MESFET(45) 의에, E형 MESFET의 드레인 전압을 제어하는 E형 MESFET(46)을 설치하고, 게이트 바이어스 제어 전압 Vcontrol1의 변화에 대응하여, 예컨대, E형 MESFET(45)의 드레인 전압이 4∼0[V]로 변화하는 동시에, 게이트 바이어스 VGB3A가 0

FET, 예컨대, MESFET로 구성된 증폭 회로에 관한 것으로, 정전원 설치만으로 충분하며. 부전원이 불필요한 동시에, 게인의 가변폭을 크게 하고. 입력 신호를 크게 감쇠시키고 싶은 경우에 FET를 사용할 수 있게 하고 있다.증폭 소자를 이루는 E형 MESFET(45) 의에, E형 MESFET의 드레인 전압을 제어하는 E형 MESFET(46)을 설치하고, 게이트 바이어스 제어 전압 Vcontrol1의 변화에 대응하여, 예컨대, E형 MESFET(45)의 드레인 전압이 4∼0[V]로 변화하는 동시에, 게이트 바이어스 VGB3A가 0.4[V]∼0[V] 가깝게 변화하도록, 드레인 전압 VOD3의 전압치.E형 MESFET(46)의 특성 및 저항(50∼52)의 저항치를 결정한다.

대표청구항

게이트에 입력 신호 및 게이트 바이어스가 공급되고, 상기 입력 신호를 증폭하여 드레인으로부터 출력하는 인핸스먼트형의 제1FET와, 드레인이 드레인 전압원에 접속되고, 소스가 상기 제1FET의 드레인에 접속되며. 게이트에 공급되는 제어 신호에 의해. 상기 제1FET에 공급하는 드레인 전압을 제어하는 인헨스먼트형의 제2FET를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.

게이트에 입력 신호 및 게이트 바이어스가 공급되고, 상기 입력 신호를 증폭하여 드레인으로부터 출력하는 인핸스먼트형의 제1FET와, 드레인이 드레인 전압원에 접속되고, 소스가 상기 제1FET의 드레인에 접속되며. 게이트에 공급되는 제어 신호에 의해. 상기 제1FET에 공급하는 드레인 전압을 제어하는 인헨스먼트형의 제2FET를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.