초록 ▼

본 발명은 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서에 관한 것으로써 제 1 도전형의 반도체기판과; 상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층과; 상기 매몰산화층의 상부에 의해 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제 1 도전형의 반도체 층과; 상기 반도체 층의 소정 부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 1 소오스 및 제 1 드레인, 상기 제 1 소오스와 제 1 드레인 사이의 상기 반도체 층의 상부에 연속해서 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이

본 발명은 변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서에 관한 것으로써 제 1 도전형의 반도체기판과; 상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층과; 상기 매몰산화층의 상부에 의해 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제 1 도전형의 반도체 층과; 상기 반도체 층의 소정 부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 1 소오스 및 제 1 드레인, 상기 제 1 소오스와 제 1 드레인 사이의 상기 반도체 층의 상부에 연속해서 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트절연층, 상기 제 1 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와; 상기 반도체 층의 소정 부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 2 소오스 및 제 2 드레인, 상기 제 2 소오스와 제 2 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성 하부 및 제 2 상부 게이트절연층, 상기 제 2 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 2 하부 및 제 2 상부 게이트금속을 갖는 레퍼런스 트랜지스터와; 상기 반도체 층의 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터 사이에 제 2 도전형의 고농도로 도핑되어 형성된 다이오드와; 상기 반도체층의 소정 부분에 상기 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터의 주위를 에워싸도록 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 연결되게 형성되어 형성된 히터와; 상기 센싱 트랜지스터, 레퍼런스 트랜지스터, 다이오드 및 히터 각각의 소자를 전기적으로 분리하도록 상기 소자들 사이에 상기 매몰산화층과 연격되게 형성된 소자분리영역을 구비한다.따라서, 구조가 간단하기 때문에 유지보수가 용이하고, 그 특성이 안정되어 정밀한 수소 농도의 측정이 가능하며, 지속적으로 수소 농도를 측정할 수 있기 때문에 실시간 원거리에서의 감시가 가능하고, 또한 가격면에 있어서도 매우 저렴함은 물론 대량생산이 가능하다.

대표청구항 ▼

제 1 도전형의 반도체기판과;상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층, 상기 매몰산화층의 상부에 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제 1 도전형의 반도체층과;상기 반도체층의 소정부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 1 소오스 및 제 1 드레인, 상기 제 1 소오스와 제 1 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이츠절연층, 상기 제 1 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와;상기 반

제 1 도전형의 반도체기판과;상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층, 상기 매몰산화층의 상부에 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제 1 도전형의 반도체층과;상기 반도체층의 소정부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 1 소오스 및 제 1 드레인, 상기 제 1 소오스와 제 1 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이츠절연층, 상기 제 1 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 1 하부 및 제 1 상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와;상기 반도체층의 소정부분에 소정거리 이격되어 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제 2 소오스 및 제 2 드레인, 상기 제 2 소오스와 제 2 드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제 2 하부 및 제 2 상부 게이트절연층, 상기 제 2 상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제 2 하부 및 제 2 상부 게이트금속을 갖는 레퍼런스 트랜지스터와;상기 반도체층의 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터 사이에 제 2 도전형의 고농도로 도핑되어 형성된 다이오드와;상기 반도체층의 소정부분에 상기 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터의 주위를 에워싸도록 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 연결되게 형성되어 형성된 히터와;상기 센싱 트랜지스터, 레퍼런스 트랜지스터, 다이오드 및 히터 각각의 소자를 전기적으로 분리하도록 상기 소자들 사이에 상기 매몰산화층과 연결되게 형성된 소자분리영역을 구비하는 변압기 절연유내의 수소가스를 감지하는 저 드래프트 Pd/NiCr MISFET형 센서.