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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0074395 (1997-12-26) |
공개번호 | 10-1999-0054566 (1999-07-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970074395 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 부유 게이트 측면에서의 전류 측정에 적당한 스택 게이트 셀의 터널링 전류 측정 방법에 관한 것으로서, 스택 게이트 셀의 터널링 전류 측정 방법은 부유 게이트와 인터 폴리 산화막위에 부유 게이트 보다 작은 제어 게이트를 중첩하도록 구성되면서 다양한 면적을 갖는 복수개의 제 1 테스트 패턴을 형성하는 단계와, 부유 게이트와 인터 폴리 산화막위에 부유 게이트에 제어 게이트가 걸치도록 구성되면서 면적이 동일하고 측면 길이가 다른 복수개의 제 2 테스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 테스트 패턴으로부터 터널링이 일어나는 면
부유 게이트와 인터 폴리 산화막위에 부유 게이트 보다 작은 제어 게이트를 중첩하도록 구성되면서 다양한 면적을 갖는 복수개의 제 1 테스트 패턴을 형성하는 단계;부유 게이트와 인터 폴리 산화막위에 부유 게이트에 제어 게이트가 걸치도록 구성되면서 면적이 동일하고 측면 길이가 다른 복수개의 제 2 테스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 테스트 패턴으로부터 터널링이 일어나는 면적과 터널링 전류와의 리니어티를 분석하여 단위면적에서 터널링 전류를 측정하는 단계;상기 제 2 테스트 패턴으로부터 측면 커패시터를 포함한 터널링 전류 및 면적을 측
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