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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0005545 (1998-02-23) |
등록번호 | 10-0166335-0000 (1998-09-22) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980005545 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1998-02-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 i) 하기 일반식(I)의 양이온 고분자 또는 음이온 고분자로 막을 만드는 단계, ii) 상기 i) 단계에서 얻어진 고분자 막을 i) 단계에서 사용한 고분자와 반대이온성을 가지는 하기 일반식(I)의 양이온 고분자 또는 음이온 고분자 용액에 침지하는 단계로 이루어지는 착이온 고분자막의 제조방법에 관한 것이다:상기 식에서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 C1-C10 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이며, R1 및 R2의 결합위치는 각기 독립적으로 오르토, 메타 또는 파라이고, X는 Br, Cl, F,본 발명에 따라 제조된 착이온 고분
i) 하기 일반식(I)의 양이온 고분자 또는 음이온 고분자로 막을 만드는 단계, ii) 상기 i) 단계에서 얻어진 고분자 막을 i) 단계에서 사용한 고분자와 반대이온성을 가지는 하기 일반식(I)의 양이온 고분자 또는 음이온 고분자 용액에 침지하는 단계로 이루어지는 착이온 고분자막의 제조방법:상기 식에서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 C1-C10 직쇄 또는 측쇄 알킬렌이며, R1 및 R2의 결합위치는 각기 독립적으로 오르토, 메타 또는 파라이고, X는
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