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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0006192 (1998-02-26) |
공개번호 | 10-1999-0070997 (1999-09-15) |
등록번호 | 10-0292246-0000 (2001-03-21) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980006192 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1998-02-26) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
전류거울(current mirror)회로를 이용하는, 성능이 우수한 적외선 감지 소자의 신호취득(readout)회로를 제공한다. 본 발명에 의한 신호취득회로는 작은 면적만을 필요로 함으로써 감지소자의 고집적화를 가능하게 하며, 입력 임피던스가 작아서 높은 주입효율(high injection efficiency)을 얻을 수 있으며, 전력소모가 작고 높은 전하용량을 가진다는 장점이 있다. 또한 전류거울 회로를 사용함으로써 적외선 감지소자의 동작 바이어스 전압(bias voltage)을 안정화시킬 수 있으며, 이로 인하여 저잡음 특성의
전류거울 회로를 이용하는 감지소자의 신호취득회로로서,상기 전류거울 회로는 2개의 NMOSFET(Mn1, Mn2)와 2개의 PMOSFET(Mp1, Mp2)로 이루어지며,상기 2개의 PMOSFET는 기준이 되는 전류를 흘려주는 제 1 PMOSFET(이하에서는 Mp1이라 함) 및 제 1 PMOSFET 전류와 동일한 전류를 흘려주는 제 2 PMOSFET(이하에서는 Mp2라 함)로 이루어져 있으며, Mp1과 Mp2의 게이트는 게이트끼리 소스는 소스끼리 연결하고, Mp2의 드레인과 게이트 단자를 서로 연결하고,상기 2개의 NMOSFET 또한
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