초록 ▼

전류거울(current mirror)회로를 이용하는, 성능이 우수한 적외선 감지 소자의 신호취득(readout)회로를 제공한다. 본 발명에 의한 신호취득회로는 작은 면적만을 필요로 함으로써 감지소자의 고집적화를 가능하게 하며, 입력 임피던스가 작아서 높은 주입효율(high injection efficiency)을 얻을 수 있으며, 전력소모가 작고 높은 전하용량을 가진다는 장점이 있다. 또한 전류거울 회로를 사용함으로써 적외선 감지소자의 동작 바이어스 전압(bias voltage)을 안정화시킬 수 있으며, 이로 인하여 저잡음 특성의

전류거울(current mirror)회로를 이용하는, 성능이 우수한 적외선 감지 소자의 신호취득(readout)회로를 제공한다. 본 발명에 의한 신호취득회로는 작은 면적만을 필요로 함으로써 감지소자의 고집적화를 가능하게 하며, 입력 임피던스가 작아서 높은 주입효율(high injection efficiency)을 얻을 수 있으며, 전력소모가 작고 높은 전하용량을 가진다는 장점이 있다. 또한 전류거울 회로를 사용함으로써 적외선 감지소자의 동작 바이어스 전압(bias voltage)을 안정화시킬 수 있으며, 이로 인하여 저잡음 특성의 회로를 얻을 수 있다.

대표청구항 ▼

전류거울 회로를 이용하는 감지소자의 신호취득회로로서,상기 전류거울 회로는 2개의 NMOSFET(Mn1, Mn2)와 2개의 PMOSFET(Mp1, Mp2)로 이루어지며,상기 2개의 PMOSFET는 기준이 되는 전류를 흘려주는 제 1 PMOSFET(이하에서는 Mp1이라 함) 및 제 1 PMOSFET 전류와 동일한 전류를 흘려주는 제 2 PMOSFET(이하에서는 Mp2라 함)로 이루어져 있으며, Mp1과 Mp2의 게이트는 게이트끼리 소스는 소스끼리 연결하고, Mp2의 드레인과 게이트 단자를 서로 연결하고,상기 2개의 NMOSFET 또한

전류거울 회로를 이용하는 감지소자의 신호취득회로로서,상기 전류거울 회로는 2개의 NMOSFET(Mn1, Mn2)와 2개의 PMOSFET(Mp1, Mp2)로 이루어지며,상기 2개의 PMOSFET는 기준이 되는 전류를 흘려주는 제 1 PMOSFET(이하에서는 Mp1이라 함) 및 제 1 PMOSFET 전류와 동일한 전류를 흘려주는 제 2 PMOSFET(이하에서는 Mp2라 함)로 이루어져 있으며, Mp1과 Mp2의 게이트는 게이트끼리 소스는 소스끼리 연결하고, Mp2의 드레인과 게이트 단자를 서로 연결하고,상기 2개의 NMOSFET 또한 기준이 되는 전류를 흘려주는 제 1 NMOSFET(이하에서는 Mn1이라 함) 및 제 1 NMOSFET 전류와 동일한 전류를 흘려주는 제 2 NMOSFET(이하에서는 Mn2라 함)로 이루어져 있으며, Mn1와 Mn2의 게이트 단자를 서로 연결하고, Mn1의 소스에는 광전압형 감지소자의 음극(-)을 연결하며, Mn2의 게이트와 드레인을 연결하고 소스에는 감지소자에 걸어줄 바이어스 전압과 같은 전압을 걸어주며,Mn2의 드레인 단자와 Mp1의 드레인 단자를 연결하고, Mn1의 드레인단자와 Mp2의 드레인단자를 직간접적으로 연결하여 상기 두 개의 MOSFET Mn1, Mp2를 통하여 같은 양의 전류, 즉 감지소자에서 유발된 광전류(Iph)가 흐르도록 하는 것을 특징으로 하는 감지소자의 신호취득회로.