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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0033245 (1998-08-17) |
공개번호 | 10-2000-0014044 (2000-03-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980033245 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2000-09-27) |
심사진행상태 | 포기(등록료 미납) |
법적상태 | 포기 |
본 발명은 튜브를 이용한 희토류계 영구자석 제조방법에 관한 것으로, 원 스트로크 가압공정으로 열간소성가공을하여 C형 영구자석을 제조하는 과정에서 오목한 곡률면을 갖는 펀치에 접하는 튜브 성형체 면의 곡률을 오목한 곡률보다 크게 갖도록하여 튜브의 감싸는 정도를 균일하게하여 전체적으로 자기적 특성을 우수하게 할 수 있다.
하나 또는 그 이상의 희토류 원소, 하나 또는 그 이상의 천이금속 및 붕소를 함유하는 희토류계 합금으로 이루어진 희토류 자석분말이 채워진 튜브 성형체를 곡면이 형성된 펀치를 갖는 금형장치에 장입하여 원 스크로크 공정으로 열간소성가공하는 희토류계 영구자석 제조방법에 있어서, 상기 곡면이 형성된 펀치중에서 오목한 면과 접촉되는 상기 튜브 성형체 면의 곡률을 펀치 면의 곡률보다 작게 형성하여 압축가공시 튜브와 자성분말이 균일하게 소성변형을 일으키도록 한 희토류계 영구자석 제조방법.
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