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연합인증

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희토류계 영구자석 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01F-007/00
출원번호 10-1998-0033245 (1998-08-17)
공개번호 10-2000-0014044 (2000-03-06)
DOI http://doi.org/10.8080/1019980033245
발명자 / 주소
  • 안길수 / 서울특별시 동작구 대방동 ***번지 현대아파트 ***-****
출원인 / 주소
  • 주식회사 만도 / 경기도 평택시 포승면 만호리 ***-*
대리인 / 주소
  • 김원준; 장성구 (KIM, Won Joon)
  • 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소); 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2000-09-27)
심사진행상태 포기(등록료 미납)
법적상태 포기

초록

본 발명은 튜브를 이용한 희토류계 영구자석 제조방법에 관한 것으로, 원 스트로크 가압공정으로 열간소성가공을하여 C형 영구자석을 제조하는 과정에서 오목한 곡률면을 갖는 펀치에 접하는 튜브 성형체 면의 곡률을 오목한 곡률보다 크게 갖도록하여 튜브의 감싸는 정도를 균일하게하여 전체적으로 자기적 특성을 우수하게 할 수 있다.

대표청구항

하나 또는 그 이상의 희토류 원소, 하나 또는 그 이상의 천이금속 및 붕소를 함유하는 희토류계 합금으로 이루어진 희토류 자석분말이 채워진 튜브 성형체를 곡면이 형성된 펀치를 갖는 금형장치에 장입하여 원 스크로크 공정으로 열간소성가공하는 희토류계 영구자석 제조방법에 있어서, 상기 곡면이 형성된 펀치중에서 오목한 면과 접촉되는 상기 튜브 성형체 면의 곡률을 펀치 면의 곡률보다 작게 형성하여 압축가공시 튜브와 자성분말이 균일하게 소성변형을 일으키도록 한 희토류계 영구자석 제조방법.

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