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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0008884 (1999-03-12) |
공개번호 | 10-2000-0060532 (2000-10-16) |
등록번호 | 10-0288246-0000 (2001-02-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990008884 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1999-03-12) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 ND(네오디뮴)자석을 이용한 자력흡착기에 관한 것이다.종래의 자력흡착기는 자속밀도가 4,400가우스 미만의 페라이드자석을 이용하고 있어 대용량의 흡착기를 얻을려면 몸체의 부피를 크게해야 하였기 때문에 사용상 불편하고 이를 경량 소형화 함에는 자속밀도가 10,000가우스 이상되는 ND자석을 이용함이 바람직하나 이와 같은 ND 자석은 산화력이 강하여 쉬하 산화되므로 이를 방지하기 위하여 이의 표면에는 금속피막을 형성하고 있기 때문에 이를 회전자석으로 사용하면 회전시 자극부재와의 접찰에 의해 금속피막이 쉬히 박리되어지는 폐단이
자력흡착기몸체(1)의 내부에 장치된 중간부 및 전후 자극부재(2)는 비교적 두텁게 하되 전후 자극부재(2')는 상부가 면취된 외향경사부로 되게하고 자극부재(2)(2')의상하에는 다수의 끼움홈(2"')을 형성하여 이에 끼움된 연결핀(3)은 간격유지체(5)의 양측면에 형성된 끼움홈(2")에 끼움되게하며 간격유지체(5)의 내부에 끼움된 회전자케이스(6)의 격판(6")사이에는 표면에 고체유유막층(7')이 형성된 ND자석(7)이 장입되며 이 ND자석(7)과 접합되는 중간부 및 전후 자극 부재(2)(2') 또는 비자성체(4)에는 교질유저장실(
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