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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0009348 (1999-03-19) |
공개번호 | 10-2000-0060753 (2000-10-16) |
등록번호 | 10-0283027-0000 (2000-12-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990009348 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1999-03-19) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은, AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 관한 것으로서, 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용한다는 점에 그 특징이 있다. 이와 같은 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법을 사용하여 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 방법은, 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순
AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 있어서,습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법.
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