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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0023660 (1999-06-23) |
공개번호 | 10-2001-0003380 (2001-01-15) |
등록번호 | 10-0326279-0000 (2002-02-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990023660 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1999-06-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 티탄산바륨(BaTiO3)의 단결정 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 액상 형성 온도 이상에서 온도가 증가함에 따라서, 일차와 이차에 걸쳐 두 번의 비정상 입성장 현상이 있는 티탄산바륨(BaTiO3)의 단결정 성장 방법에 있어서, (a) 상기 이차 비정상 입성장 시작 온도 이상에서 열처리하여 소수의 이차 비정상 입자를 생성시키는 단계; 및 (b) 열처리 온도를 상기 이차 비정상 입성장 시작 온도 이하로 낮추어서, 상기 단계 (a)에서 생성된 이차 비정상 입자만을 계속하여 성장시킴에 의하여 단결정을 제조하는 단계를 포함
액상 형성 온도 이상에서 온도가 증가함에 따라서, 일차와 이차에 걸쳐 두 번의 비정상 입성장 현상이 있는 티탄산바륨(BaTiO3)의 단결정 성장 방법에 있어서, (a) 상기 이차 비정상 입성장 시작 온도 이상에서 열처리하여 소수의 이차 비정상 입자를 생성시키는 단계; 및(b) 열처리 온도를 상기 이차 비정상 입성장 시작 온도 이하로 낮추어서, 상기 단계 (a)에서 생성된 이차 비정상 입자만을 계속하여 성장시킴에 의하여 단결정을 제조하는 단계를 포함하는 것임을 특징으로 하는 티탄산바륨(BaTiO3)의 단결정 성장 방법.
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