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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0024319 (1999-06-25) |
공개번호 | 10-2000-0011334 (2000-02-25) |
등록번호 | 10-0483484-0000 (2005-04-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990024319 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-07-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 기판(14) 상에 반도체 박막을 형성하는 반도체 박막 형성 공정과, 반도체 박막에 가열된 가스를 송풍하면서, 가스가 송풍되는 반도체 박막의 영역에 에너지빔(38)을 조사하여 반도체 박막을 용융하고, 고화 과정에서 반도체 박막을 결정화하는 공정을 포함하는 다결정 박막 형성 방법에 관한 것이다. 고온의 가스가 송풍되는 동안 에너지빔이 조사됨으로써 용융된 반도체 박막의 고화 속도를 낮춤에 따라, 결정 입경이 크고 결정의 결함과 쌍정이 적은 양질의 다결정 박막 필름을 얻을 수 있다.
기판 상에 반도체 박막을 형성하는 반도체 박막 형성 공정과,상기 반도체 박막에 에너지빔을 조사하면서 상기 반도체 박막에 가열된 가스를 송풍하여 상기 가스가 송풍되는 영역의 상기 반도체 박막을 용융하고, 고화 과정에서 상기 반도체 박막을 결정화하여 다결정 박막을 형성하는 다결정 박막 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막의 형성 방법.
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