최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-1999-0034759 (1999-08-21) |
공개번호 | 10-2001-0018699 (2001-03-15) |
등록번호 | 10-0300679-0000 (2001-06-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990034759 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (1999-08-21) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체용 웨이퍼를 제조하는 공정중 베이크의 내부에서 웨이퍼를 가열할 때 상기 웨이퍼의 높이를 미세조정하여 판상으로 형성된 웨이퍼의 가열온도를 균일하게 유지할 수 있는 웨이퍼 가공용 베이크의 웨이퍼 높낮이 조절장치에 관한 것으로서, 본 발명은 가열플레이트의 상면 둘레면에 웨이퍼를 안내하기 위한 복수의 안내가이드가 설치되어 있고 상기 안내가이드에 안내되어 가열플레이트의 상면 중앙에 위치되는 웨이퍼를 지지하여 가열플레이트와 분리시키는 지지볼이 설치된 베이크유니트에 있어서, 상기 가열플레이트의 상면 둘레에 고정부재가 적어도 3개
가열플레이트(10)의 상면 둘레면에 웨이퍼(W)를 안내하기 위한 복수의 안내가이드(11)가 설치되어 있고 상기 안내가이드(11)에 안내되어 가열플레이트(10)의 상면 중앙에 위치되는 웨이퍼(W)를 지지하여 가열플레이트(10)와 분리시키는 지지볼(12)이 설치된 베이크유니트(4)에 있어서,상기 가열플레이트(10)의 상면 둘레면에 고정부재(20)가 적어도 3개이상 설치되며 상기 각 고정부재(20)에는 회전축(30)을 설치하되, 웨이퍼(W)의 둘레면에 접촉되어 상기 웨이퍼(W)의 일측을 상승시키도록 상기 고정부재(20)의 중심과 편심된
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.