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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2000-0005119 (2000-02-02) |
공개번호 | 10-2001-0077365 (2001-08-17) |
등록번호 | 10-0387174-0000 (2003-05-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020000005119 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2000-02-02) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법에 관한 것으로, 사파이어기판(1) 전면에 형성된 단결정 질화갈륨(2)과, 상기 질화갈륨(2) 위에 마스크를 이용하여 부분적으로 형성한 전극(3)과, 상기 전극(3)이 형성되지 않은 상기 질화갈륨(2) 위에 증착된 촉매(4)와, 상기 사파이어기판(1) 뒷면에 티탄과 백금을 차례로 형성시켜 제작된 히터(5)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하여, 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법을 적용하면, 모재로 사용하는 화합물 반도체인 질화갈륨은 상기 질화갈륨의 소재 특성인 갈
사파이어기판(1) 전면에 형성된 단결정 질화갈륨(2)과,상기 질화갈륨(2) 위에 마스크를 이용하여 부분적으로 형성한 전극(3)과,상기 전극(3)이 형성되지 않은 상기 질화갈륨(2) 위에 증착된 촉매(4)와,상기 사파이어기판(1) 뒷면에 티탄과 백금을 차례로 형성시켜 제작된 히터(5)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서.
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