[특허]반도체 웨이퍼 결함 검출 방법

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[한국특허] 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/66
출원번호	10-2000-0062687 (2000-10-24)
공개번호	10-2002-0031905 (2002-05-03)
등록번호	10-0384680-0000 (2003-05-07)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020000062687
발명자 / 주소	김현수 / 경상북도구미시황상동*-현대아파트*-* 이보영 / 경상북도구미시옥계동*에덴아파트-** 피승호 / 경기도이천시부발읍아미리현대차아파트-** 고정근 / 서울특별시송파구잠실동주공아파트-*
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**- 주식회사 실트론 / 경북 구미시 임수동 ***번지
대리인 / 주소	양순석 (YANG, Soon Seok) 서울 강남구 역삼동 *- 강남제일빌딩 ***호
심사청구여부	있음 (2000-10-24)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록 ▼

본 발명은 실리콘 웨이퍼가 가지고 있는 미세한 결함 요인을 검출하기위한 방법으로서, 분위기 가스 내에서 실리콘 웨이퍼를 500 - 1300 ℃까지 온도범위 내에서 미소 결함 요소를 측정 가능한 크기로 성장시키기 위하여 실시하는 열처리단계, 웨이퍼 표면을 경면 폴리싱하는 단계, 폴리싱된 웨이퍼를 세정하는 단계, 및 성장된 결함을 파티클 카운터로 검사하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법이다,열처리단계에서는 웨이퍼에 내포된 미소결함을 성장시키기 위한 다수 단계의 열처리 과정으로서, 웨이퍼에 포함된 산소가 핵 형성을 할 수 있게 하기 위하여 650 - 800 ℃ 사이 온도대에서 2시간 이상 열처리하고, 웨이퍼에 포함된 산소가 핵 형성을 한 후, 산소 석출 또는 적층 결함으로 발전할 수 있게 하기 위하여 900 - 1200 ℃ 사이 온도대에서 10시간 이상 열처리하는 단계를 포함한다.

대표청구항

실리콘 웨이퍼가 가지고 있는 미세한 결함 요인을 검출하기위한 방법에 있어서,분위기 가스 내에서 실리콘 웨이퍼를 500 - 1300 ℃까지 온도범위 내에서 미소 결함 요소를 측정 가능한 크기로 성장시키기 위하여 실시하는 열처리단계,웨이퍼 표면을 경면 폴리싱하는 단계,폴리싱된 웨이퍼를 세정하는 단계, 및성장된 결함을 파티클 카운터로 검사하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 결함 검출 방법,

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

[일본] FILM THICKNESS MEASURING METHOD OF EPITAXIALLY GROWN LAYER | GOTO SHUNSUKE, SOGA NOBORU
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[한국] 반도체 장비의 파티클 모니터링 방법 | 이상섭
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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