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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2000-0067781 (2000-11-15) |
| 공개번호 | 10-2002-0037858 (2002-05-23) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020000067781 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명은 감광액 도포공정에서 웨이퍼 표면에 도포된 감광액 중 공정에 필요하지 않는 배면 부위의 감광액을 제거하는 세정 공정이 이루어지는 반도체 제조를 위한 감광액 도포 설비에 관한 것이다. 본 발명의 감광액 도포 설비는 스핀척, 세정 수단을 갖는다. 스핀척에는 웨이퍼가 로딩된다. 세정 수단은 스핀척에 로딩된 웨이퍼의 배면을 지향하도록 설치되는 노즐을 갖는다. 이 노즐은 웨이퍼 배면으로의 분사각을 조절할 수 있다.
웨이퍼의 표면에 감광액을 도포하는 공정을 진행하는 설비에 있어서: 웨이퍼가 로딩되는 스핀척과;상기 스핀척에 로딩된 웨이퍼의 배면을 지향하도록 설치되며 세정액을 웨이퍼의 배면 부위로 분사하기 위한 세정 수단을 포함하되;상기 세정 수단은 상기 웨이퍼 배면으로의 분사 각도를 조절할 수 있는 적어도 하나의 분사 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 감광액 도포 설비.
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