초록 ▼

본 발명은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 발명에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 발명에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기

본 발명은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 발명에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 발명에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기반소재를 제공할 수 있게 된다.

대표청구항 ▼

제1반도체기판 위에 희생층으로서 제1반도체기판 물질과 격자상수가 유사한 물질의 에피텍시층을 형성하고, 상기 희생층 위에 퓨전층으로서 제1반도체기판과 동일한 물질의 에피텍시층을 형성하고,상기 제1반도체기판 물질과 격자상수가 다른 물질로 이루어지는 제2반도체기판 위에 상기 퓨전층을 접합시키고,상기 희생층을 제거하여 제1반도체기판과 제2반도체기판을 분리시키고,상기 퓨전층을 단면이 U자 또는 V자 형태로 패터닝하고,패터닝된 퓨전층 위에 퓨전층과 동일한 물질의 박막을 다수의 층으로 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 단결정박막의 접합

제1반도체기판 위에 희생층으로서 제1반도체기판 물질과 격자상수가 유사한 물질의 에피텍시층을 형성하고, 상기 희생층 위에 퓨전층으로서 제1반도체기판과 동일한 물질의 에피텍시층을 형성하고,상기 제1반도체기판 물질과 격자상수가 다른 물질로 이루어지는 제2반도체기판 위에 상기 퓨전층을 접합시키고,상기 희생층을 제거하여 제1반도체기판과 제2반도체기판을 분리시키고,상기 퓨전층을 단면이 U자 또는 V자 형태로 패터닝하고,패터닝된 퓨전층 위에 퓨전층과 동일한 물질의 박막을 다수의 층으로 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법.제1항에 있어서, 상기 제2반도체기판 및 제1반도체기판의 조합은 InxGa1-xAsyP1-y와 GaAs, InxGa1-xSb와 GaAs, InxGa1-xAs와 Si 또는 Si1-xGex와 Si 중의 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법.제1항에 있어서, 상기 퓨전층의 패터닝 단계에서 패터닝된 퓨전층의 단면의 폭은 50㎚ ~ 10㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법.제1항에 있어서, 상기 퓨전층과 제2반도체기판의 접합은 퓨전층의 표면과 제2반도체기판의 표면을 서로 맞닿게 하고, 수소분위기 또는 진공분위기에서 200 ~ 950℃의 온도와, 0 ~ 100기압의 압력으로, 10분 ~ 5시간 동안 유지시키고, 온도를 낮추고 압력을 해제하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법.제1반도체기판과,상기 제1반도체기판 위에 형성되며, 제1반도체기판 물질의 격자상수와 다른 물질로 이루어지고, 단면이 U자 또는 V자 형태로 패터닝된 제2반도체층과,상기 제2반도체층 위에 형성되며, 제2반도체층과 동일한 물질의 박막이 다수의 층을 이루고, 맨 위층엔 양자구조가 형성되어 있는 덧성장층을 포함하여 구성되는 이종 단결정박막.제5항에 있어서, 상기 덧성장층위에 형성된 양자구조는 양자선 또는 양자점인 것을 특징으로 하는 이종 단결정박막.