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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2000-0083712 (2000-12-28) |
공개번호 | 10-2002-0055475 (2002-07-09) |
등록번호 | 10-0359739-0000 (2002-10-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020000083712 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2000-12-28) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 발명에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 발명에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기
제1반도체기판 위에 희생층으로서 제1반도체기판 물질과 격자상수가 유사한 물질의 에피텍시층을 형성하고, 상기 희생층 위에 퓨전층으로서 제1반도체기판과 동일한 물질의 에피텍시층을 형성하고,상기 제1반도체기판 물질과 격자상수가 다른 물질로 이루어지는 제2반도체기판 위에 상기 퓨전층을 접합시키고,상기 희생층을 제거하여 제1반도체기판과 제2반도체기판을 분리시키고,상기 퓨전층을 단면이 U자 또는 V자 형태로 패터닝하고,패터닝된 퓨전층 위에 퓨전층과 동일한 물질의 박막을 다수의 층으로 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 단결정박막의 접합
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