선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-2000-0083798 (2000-12-28) |
공개번호 | 10-2002-0054636 (2002-07-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020000083798 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 EUV(extreme ultraviolet) 마스크에 관한 것으로, EUV를 광원으로 사용하는 리소그래피 공정에서 기판으로 셀영역을 노출시키거나 얇은 박막형태의 흡수층을 사용하고, 상기 흡수층 상부에 패턴으로 예정되는 부분이 양각으로 되는 반사층패턴을 형성함으로써 EUV 광원이 입사되는 반사층패턴 상부의 CD를 정확하게 조절하면 측면 경사에 의해 콘트라스트가 저하되거나, 반사층의 디펙트에 의한 에러가 발생되는 것을 방지하고, 그에 따른 반도체소자의 수율 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
EUV를 마스크에 있어서,셀영역을 노출시키는 흡수층과, 상기 흡수층 상부에 양각 패턴으로 되는 반사층패턴이 구비되는 스텐실 마스크인 것을 포함하는 EUV 마스크.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.