최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2000-7005975 (2000-06-01) |
공개번호 | 10-2001-0032692 (2001-04-25) |
등록번호 | 10-0329810-0000 (2002-03-11) |
국제출원번호 | PCT/KR1998/000403 (1998-12-04) |
국제공개번호 | WO1999029922 (1999-06-17) |
번역문제출일자 | 2000-06-01 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020007005975 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2000-06-01) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
이온빔 (IB)을 이용한 고분자, 금속 및 세라믹 재료의 표면처리장치가 개시되어 있는데, 표면처리되는 재료에 인가되는 전압 (22)을 공급하고 제어함으로써 재료에 조사되는 이온빔 (IB) 에너지를 조절할 수 있고, 이온빔이 조사되는 진공조 영역에서의 반응성 가스 진공도를 이온빔이 발생되는 영역에서의 것과 다르게 하고, 또한 양면 조사 처리 및 연속 처리를 적용할 수 있다.
챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이온원과;표면처리되는 재료가 이온원으로부터의 이온빔에 의해 조사되도록 놓여지는 홀더와;상기 재료 표면으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 홀더를 상기 챔버로부터 절연시키면서 전압을 상기 홀더에 인가함으로써 상기 재료 표면에 조사되는 이온빔의 이온 에너지가 제어되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치. 챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.