초록

이온빔 (IB)을 이용한 고분자, 금속 및 세라믹 재료의 표면처리장치가 개시되어 있는데, 표면처리되는 재료에 인가되는 전압 (22)을 공급하고 제어함으로써 재료에 조사되는 이온빔 (IB) 에너지를 조절할 수 있고, 이온빔이 조사되는 진공조 영역에서의 반응성 가스 진공도를 이온빔이 발생되는 영역에서의 것과 다르게 하고, 또한 양면 조사 처리 및 연속 처리를 적용할 수 있다.

대표청구항 ▼

챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이온원과;표면처리되는 재료가 이온원으로부터의 이온빔에 의해 조사되도록 놓여지는 홀더와;상기 재료 표면으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 홀더를 상기 챔버로부터 절연시키면서 전압을 상기 홀더에 인가함으로써 상기 재료 표면에 조사되는 이온빔의 이온 에너지가 제어되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치. 챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이

챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이온원과;표면처리되는 재료가 이온원으로부터의 이온빔에 의해 조사되도록 놓여지는 홀더와;상기 재료 표면으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 홀더를 상기 챔버로부터 절연시키면서 전압을 상기 홀더에 인가함으로써 상기 재료 표면에 조사되는 이온빔의 이온 에너지가 제어되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치. 챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이온원과;표면처리되는 재료가 이온원으로부터의 이온빔에 의해 조사되도록 놓여지는 홀더와;상기 재료 표면으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입 수단과;상기 반응성 가스가 재료 표면에 공급되는 경우 그 안에서 재료 표면이 처리되는 상기 챔버의 재료 반응 영역을 이온원이 설치되어 있는 챔버 영역으로부터 분리시키는 분리수단;으로 이루어지고, 상기 챔버의 재료 반응 영역내에서의 진공도가 이온원이 설치되어 있는 챔버 영역에서의 진공도보다 더 높게 유지되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치. 챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이온원과;이온원으로부터의 이온빔이 조사되는 분말 재료를 수용하고 상기 분말 재료를 교반하는 홀더와;상기 재료 표면으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 분말 재료의 표면처리장치.제 3 항에 있어서, 두 개 이상의 진공 수단이 제공되고; 상기 반응성 가스가 재료 표면에 공급되는 경우 그 안에서 재료 표면이 처리되는 상기 챔버의 재료 반응 영역을 이온원이 설치되어 있는 챔버 영역으로부터 분리시키는 분리수단;이 추가적으로 포함됨으로써, 상기 챔버의 재료 반응 영역내에서의 진공도가 이온원이 설치되어 있는 챔버 영역에서의 진공도보다 더 높게 유지되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치.챔버와;상기 챔버내의 진공을 유지하기 위한 진공수단과;이온빔을 발생시키는 이온건을 갖는 이온원과;각각이 이온건을 가지며 상기 챔버의 상하부에 혹은 챔버내의 적어도 두 개의 대향하는 위치에 설치되어 각각의 이온빔을 발생시키고 상기 각각의 이온빔을 표면처리되는 전면 및/또는 후면 혹은 대향면에 조사시키는 두 개 이상의 이온원과,재료를 공급하기 위한 수단과;이온원으로부터 발생되는 이온빔이 조사되는 각각의 재료 표면으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 재료는 이온빔이 조사되는 챔버내의 반응 영역으로 연속적으로 공급되고 상기 반응 영역으로부터 배출되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 분말 재료의 연속표면처리장치.제 5 항에 있어서, 두 개 이상의 진공 수단이 제공되고; 상기 반응성 가스가 재료 표면에 공급되는 경우 그 안에서 재료 표면이 처리되는 상기 챔버의 재료 반응 영역을 이온원이 설치되어 있는 챔버 영역으로부터 분리시키는 분리수단;이 추가적으로 포함됨으로써, 상기 챔버의 재료 반응 영역내에서의 진공도가 이온원이 설치되어 있는 챔버 영역에서의 진공도보다 더 높게 유지되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.제 5 항에 있어서, 상기 재료는 롤(roll) 형상으로 감겨있어서 상기 반응 용기내에서는 한쪽 부분에서 풀려지며 시편 반응부로 공급되고, 시편 반응부에서 이온빔이 조사되어 표면처리가 행해진 후 다른 쪽 부분에서 다시금 롤 형상으로 감겨지는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.제 5 항에 있어서, 상기 재료는 웨이퍼 형상으로 공급되고 배출되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.제 7 항에 있어서, 상기 롤 형상으로 감겨진 재료는 상기 챔버내에 수용되어 있는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.제 7 항에 있어서, 상기 롤 형상으로 감겨진 재료는 상기 챔버 밖에 위치하여 상기 반응 영역을 갖는 챔버의 바깥으로부터 상기 재료가 도입되고, 표면처리된 재료는 다시금 상기 챔버 밖에 위치하는 롤로 배출되어 감겨지는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.제 8 항에 있어서, 상기 표면처리되는 재료가 상기 챔버 바깥으로부터 반응 영역내로 공급되고 상기 표면처리된 재료가 상기 챔버 바깥으로 배출되는 경우 챔버내의 진공도는 상기 반응 영역에서 가장 높은 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.제 10 항에 있어서, 상기 표면처리되는 재료가 상기 챔버 바깥으로부터 반응 영역내로 공급되고 상기 표면처리된 재료가 상기 챔버 바깥으로 배출되는 경우 챔버내의 진공도는 상기 반응 영역에서 가장 높은 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 재료의 연속표면처리장치.