IPC분류정보
| 국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 |
10-2000-7007710
(2000-07-12)
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| 공개번호 |
10-2001-0034100
(2001-04-25)
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| 등록번호 |
10-0681547-0000
(2007-02-05)
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| 국제출원번호 |
PCT/JP1999/006291
(1999-11-11)
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| 국제공개번호 |
WO2000030162
(2000-05-25)
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| 번역문제출일자 |
2000-07-12
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| DOI |
http://doi.org/10.8080/1020007007710
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발명자
/ 주소 |
- 노하라마사히로
/ 일본국오사카후오사카시아베노쿠나가이케쵸**-**샤프가부시키가이샤내
- 하시모토류
/ 일본국오사카후오사카시아베노쿠나가이케쵸**-**샤프가부시키가이샤내
- 오케타니다이미
/ 일본국오사카후오사카시아베노쿠나가이케쵸**-**샤프가부시키가이샤내
- 아베히사키
/ 일본국니가타켄니카타시다유하마신와리***미치비시가스가가쿠가부시키가이샤니가타연구소내
- 마루야마다케도
/ 일본국니가타켄니카타시다유하마신와리***미치비시가스가가쿠가부시키가이샤니가타연구소내
- 아오야마데츠오
/ 일본국니가타켄니카타시다유하마신와리***미치비시가스가가쿠가부시키가이샤니가타연구소내
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| 출원인 / 주소 |
- 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 샤프 가부시키가이샤 / 일본 오사까후 오사까시 아베노꾸 나가이께쪼 **방 **고
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| 대리인 / 주소 |
-
특허법인태평양;
이후동
(Bae, Kim & Lee IP Group)
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서울 강남구 역삼동***-** 한국타이어빌딩;
서울특별시 강남구 역삼동 ***-** 한국타이어빌딩 *-*층 (특허법인 태평양)
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| 심사청구여부 |
있음 (2004-11-10) |
| 심사진행상태 |
등록결정(심사전치후) |
| 법적상태 |
소멸 |
초록
▼
0.1 내지 60중량%의 산화제와 0.0001 내지 5중량%의 킬레이트제를 포함하고, 반도체 집적회로 제조방법 과정에서 에칭 마스크로 사용되는 포토레지스트의 패턴층과 무수 에칭에 의해 포토레지스트로부터 생성된 잔여물을 쉽게 제거할 수 있는 세정제에 관계한다. 또한, 세정제는 액정 패널 기판 제조방법 과정에서 무수에칭시 생성되는 전도성 박막으로부터 유도된 잔여물을 쉽게 제거할 수 있다. 상기 세정제를 사용하는 세정방법은 박막 회로소자의 와이어링 물질이나 단열 재료 또는 반도체 집적회로와 액정 패널의 기판을 생산하는 데 사용되는
0.1 내지 60중량%의 산화제와 0.0001 내지 5중량%의 킬레이트제를 포함하고, 반도체 집적회로 제조방법 과정에서 에칭 마스크로 사용되는 포토레지스트의 패턴층과 무수 에칭에 의해 포토레지스트로부터 생성된 잔여물을 쉽게 제거할 수 있는 세정제에 관계한다. 또한, 세정제는 액정 패널 기판 제조방법 과정에서 무수에칭시 생성되는 전도성 박막으로부터 유도된 잔여물을 쉽게 제거할 수 있다. 상기 세정제를 사용하는 세정방법은 박막 회로소자의 와이어링 물질이나 단열 재료 또는 반도체 집적회로와 액정 패널의 기판을 생산하는 데 사용되는 다른 물질은 부식하지 않는다.
대표청구항
▼
0.1 내지 60 중량%의 산화제와 0.0001 내지 5 중량%의 킬레이트제를 포함하는 세정제.제 1항에 있어서,산화제는 과산화수소인 것을 특징으로하는 세정제. 제 1항에 있어서,킬레이트제는 아미노폴리카르복시산, 포스포닉산의 킬레이트제, 농축된 포스포닉산으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 작용제인 것을 특징으로하는 세정제.제 3항에 있어서,포스포닉산의 킬레이트제는 메틸디포스포닉산, 아미노트리스메틸렌포스포닉산, 에틸리덴디포스포닉산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스포닉산, 1-하이드록시프로필리덴-1,1-디포스포닉산, 에틸아
0.1 내지 60 중량%의 산화제와 0.0001 내지 5 중량%의 킬레이트제를 포함하는 세정제.제 1항에 있어서,산화제는 과산화수소인 것을 특징으로하는 세정제. 제 1항에 있어서,킬레이트제는 아미노폴리카르복시산, 포스포닉산의 킬레이트제, 농축된 포스포닉산으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 작용제인 것을 특징으로하는 세정제.제 3항에 있어서,포스포닉산의 킬레이트제는 메틸디포스포닉산, 아미노트리스메틸렌포스포닉산, 에틸리덴디포스포닉산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스포닉산, 1-하이드록시프로필리덴-1,1-디포스포닉산, 에틸아미노비스메틸렌포스포닉산, 도데실아미노비스메틸렌비스메틸렌포스포닉산, 에틸렌디아민테트라키스메틸렌 포스포닉산, 헥산디아민테트라키스메틸렌포스포닉산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스포닉산, 1,2-프로판-디아민테트라메틸렌포스포닉산으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로하는 세정제.제 3항에 있어서,아미노폴리카르복시산은 에틸렌디아민테트라아세트산, 하이드록시에틸에틸렌디아민트리아세트산, 디하이드록시에틸에틸렌디아민테트라아세트산, 1,3-프로판디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산, 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산, 니트릴로트리아세트산, 하이드록시에틸이미노디아세트산으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로하는 세정제. 제 3항에 있어서,농축된 인산은 메타인산, 테트라메타인산, 헥사메타인산, 트리폴리인산으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로하는 세정제.무기 또는 플라스틱 기판을 포토레지스트 필름으로 코팅하고, 포토레지스트 필름으로 마스크를 형성하고, 마스크로 덮히지 않은 기판의 일부를 무수 에칭하고, 또한 무수 에칭에 의해 생성된 포토레지스트의 잔여물 및/또는 마스크를 형성하는 포토레지스트 필름을 제1항에 기재된 세정제로 제거하는 것을 포함하는 반도체소자의 세정방법.무기 또는 플라스틱 기판을 포토레지스트 필름으로 코팅하고, 포토레지스트 필름으로 마스크를 형성하고, 마스크로 덮히지 않은 기판의 일부를 무수 에칭하고, 마스크를 형성하는 포토레지스트 필름을 애싱하고, 또한 무수 에칭에 의해 생성된 포토레지스트의 잔여물을 제1항에 기재된 세정제로 제거하는 것을 포함하는 반도체소자의 세정방법.유리 기판에 전도성 박막을 형성하고, 전도성 박막에 포토레지스트로 소정의 패턴을 형성하고, 포토레지스트의 패턴을 에칭 마스크로 사용하고, 포토레지스트의 패턴으로 덮히지 않은 전도막의 일부를 무수 에칭으로 제거하고, 무수 에칭에 의해 생성된 전도성 박막으로부터 유도된 잔여물을 제1항에 기재된 세정제로 제거하는 것을 포함하는 액정 디스플레이 패널용 기판의 세정방법.유리 기판에 전도성 박막을 형성하고, 전도성 박막에 포토레지스트로 소정의 패턴을 형성하고, 포토레지스트의 패턴을 에칭 마스크로 사용하고, 포토레지스트의 패턴으로 덮히지 않은 전도막의 일부를 무수 에칭으로 제거하고, 포토레지스트로 애싱하고, 무수 에칭으로 생성된 전도성 박막으로부터 유도된 잔여물을 제1항에 기재된 세정제로 제거하는 것을 포함하는 액정 디스플레이 패널용 기판의 세정방법.유리 기판을 제 1항에 기재된 세정제로 세정하는 것을 특징으로하는 유리 기판 세정방법.
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