IPC분류정보
| 국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 |
10-2000-7009567
(2000-08-28)
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| 공개번호 |
10-2001-0041430
(2001-05-15)
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| 등록번호 |
10-0354692-0000
(2002-09-17)
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| 국제출원번호 |
PCT/JP1999/001583
(1999-03-29)
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| 국제공개번호 |
WO1999050215
(1999-10-07)
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| 번역문제출일자 |
2000-08-28
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| DOI |
http://doi.org/10.8080/1020007009567
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발명자
/ 주소 |
- 나가또야스히로
/ 일본미야자끼껭노베오까시미도리가오까*-**-*-***
- 시미즈가쯔야
/ 일본미야자끼껭노베오까시미도리가오까*쵸메*-**-***
- 야마모또신이찌
/ 일본미야자끼껭노베오까시도미야마쵸***-*
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| 출원인 / 주소 |
- 아사히 가세이 가부시키가이샤 / 일본 오사카후 오사카시 기타쿠 나카노시마 *쵸메 *방 **고
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| 대리인 / 주소 |
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특허법인코리아나;
조영원
(Koreana Patent Firm)
-
서울특별시 강남구 역삼동 ***-**;
서울 강남구 역삼*동 ***-** 동경빌딩(특허법인코리아나)
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| 심사청구여부 |
있음 (2000-08-28) |
| 심사진행상태 |
등록결정(일반) |
| 법적상태 |
소멸 |
초록
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시클로펜타디엔 및, 화학식 R-X (식 중, R 은 이소프로필을 나타내고, X 는 할로겐 등을 나타냄) 로 표시되는 이소프로필화제로부터 1-이소프로필시클로펜타디엔을 수득하고 (단계 1); 디할로케텐과 수득된 생성물을 반응시켜 케텐 부가물을 수득한 후 (단계 2); 케텐 부가물을 분해하는 (단계 3) 단계들을 포함하고. 상기 단계 1 은 하기 세 단계를 포함하는 히노키티올의 제조 방법:(a) 시클로펜타디에닐 금속의 제조 단계;(b) 비양성자성 극성 용매 내에 시클로펜타디에닐 금속을 이소프로필화하여 이소프로필시클로펜타디엔을 수득하는 단
시클로펜타디엔 및, 화학식 R-X (식 중, R 은 이소프로필을 나타내고, X 는 할로겐 등을 나타냄) 로 표시되는 이소프로필화제로부터 1-이소프로필시클로펜타디엔을 수득하고 (단계 1); 디할로케텐과 수득된 생성물을 반응시켜 케텐 부가물을 수득한 후 (단계 2); 케텐 부가물을 분해하는 (단계 3) 단계들을 포함하고. 상기 단계 1 은 하기 세 단계를 포함하는 히노키티올의 제조 방법:(a) 시클로펜타디에닐 금속의 제조 단계;(b) 비양성자성 극성 용매 내에 시클로펜타디에닐 금속을 이소프로필화하여 이소프로필시클로펜타디엔을 수득하는 단계; 및(c) 가열 하에서 생성물 내에 함유된 5-이소프로필시클로펜타디엔을 선택적으로 1-이소프로필시클로펜타디엔으로 이성질화하는 단계.
대표청구항
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시클로펜타디엔 및, 화학식 R-X (식 중, R 은 이소프로필기이고, X 는 할로겐 원자, 토실기 또는 알킬술포네이트기임) 로 표시되는 이소프로필화제로부터 1-이소프로필시클로펜타디엔을 수득하고 (제 1 단계), 디할로케텐과 1-이소프로필시클로펜타디엔을 반응시켜 케텐 부가물을 수득하고 (제 2 단계), 케텐 부가물을 분해하는 (제 3 단계) 단계들을 포함하는 방법으로서, 상기 제 1 단계가 하기 세 단계를 포함하는, 히노키티올의 제조 방법:a) 시클로펜타디엔 및 하나 이상의 금속 수산화물 또는 금속 알콕시드로부터 시클로펜타디에닐 금속
시클로펜타디엔 및, 화학식 R-X (식 중, R 은 이소프로필기이고, X 는 할로겐 원자, 토실기 또는 알킬술포네이트기임) 로 표시되는 이소프로필화제로부터 1-이소프로필시클로펜타디엔을 수득하고 (제 1 단계), 디할로케텐과 1-이소프로필시클로펜타디엔을 반응시켜 케텐 부가물을 수득하고 (제 2 단계), 케텐 부가물을 분해하는 (제 3 단계) 단계들을 포함하는 방법으로서, 상기 제 1 단계가 하기 세 단계를 포함하는, 히노키티올의 제조 방법:a) 시클로펜타디엔 및 하나 이상의 금속 수산화물 또는 금속 알콕시드로부터 시클로펜타디에닐 금속을 제조하는 단계 (시클로펜타디에닐 금속의 제조 단계);b) 생성물로서 이소프로필시클로펜타디엔과 혼합시 두 개의 액상을 형성할 수 있는 비양성자성 극성 용매의 존재 하에, 이소프로필화제와 시클로펜타디에닐 금속을 반응시켜 이소프로필시클로펜타디엔을 수득하는 단계 (이소프로필화 단계); 및c) 가열하여 이소프로필시클로펜타디엔 내의 5-이소프로필시클로펜타디엔을 선택적으로 1-이소프로필시클로펜타디엔으로 이성질화하는 단계 (이성질화 단계).제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계 후, 정치한 후 하부 층을 뽑아냄으로써, 주로 이소프로필시클로펜타디엔으로 구성된 상을 분리하는 단계를 부가 포함하는 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 상기 비양성자성 극성 용매가 디메틸 술폭시드인 방법.제 1 항에 있어서, 시클로펜타디에닐 금속의 제조 단계에서 금속 수산화물이 사용되는 방법.제 1 항에 있어서, 시클로펜타디에닐 금속의 제조 단계에서 금속 수산화물이 수산화칼륨인 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계가 상기 비양성자성 극성 용매에 더하여 지방족 탄화수소의 존재 하에 수행되는 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 상기 비양성자성 극성 용매가 시클로펜타디에닐 금속의 몰 당 4 몰 이상의 양으로 사용되는 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 상기 비양성자성 극성 용매가 시클로펜타디에닐 금속의 몰 당 6 몰 이상의 양으로 사용되는 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 상기 비양성자성 극성 용매가 시클로펜타디에닐 금속의 몰 당 10 몰 이상의 양으로 사용되고, 시클로펜타디에닐 금속을 함유하는 용액이 이소프로필화제에 첨가되는 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 상기 금속 알콕시드가 칼륨 에톡시드이고, 상기 비양성자성 극성 용매가 시클로펜타디에닐 금속의 몰 당 12 몰 이상의 양으로 사용되는 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 반응 온도가 30 ℃ 이하인 방법.제 1 항에 있어서, 이소프로필화 단계에서, 반응계 내에 존재하는 물의 양이 시클로펜타디에닐 금속의 몰 당 3 몰 이하인 방법.제 1 항에 있어서, 시클로펜타디에닐 금속의 제조 단계 및 이소프로필화 단계가 불활성 기체 대기에서 수행되는 방법.제 1 항에 있어서, 이성질화 단계에서의 온도가 0 ℃ 내지 40 ℃ 인 방법.제 1 항에 있어서, 제 3 단계에서, 케텐 부가물의 분해가, 반응계에 트리에틸아민을 적가하면서, 트리에틸아민, 물 및 친수성 유기 용매의 존재 하에서 수행되는 방법.제 13 항에 있어서, 케텐 부가물의 분해가 포름산, 아세트산 및 프로피온산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 유기산을 더 첨가함으로써 수행되는 방법.제 13 항에 있어서, 상기 수용성 유기 용매가 삼차 부탄올인 방법.제 1 항에 있어서, 제 3 단계, 및 히노키티올과 접촉하게 하는 히노키티올 정제 단계에서 사용되는 장치의 일부가, 하스텔로이 C (Hastelloy C), 유리, 수지 및 세라믹으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질로 만들어지는 방법.
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