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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2001-0001650 (2001-01-11) |
공개번호 | 10-2002-0060523 (2002-07-18) |
등록번호 | 10-0368790-0000 (2003-01-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010001650 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-01-11) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기존의 간섭계 방식을 대신에 수평 결합 방식을 이용하여 파장변환기를 구현토록 하는 기술에 관한 것이다.본 발명에 의하면 소자의 활성층이 InGaAsP의 다중 양자 우물 구조로 이루어지고 그 상부에 제 1도파로와 제 2도파로를 구비하는 파장변환기의 구현 방법에 있어서, 상기 제 1 및 제 2도파로 중에 적어도 어느 한 쪽의 도파로 양 끝면을 각각 식각한 후 무반사 코팅한 다음 클리빙을 통하여 분리함으로서 반사면과
소자의 활성층이 InGaAsP의 다중 양자 우물 구조로 이루어지고, 그 상부에 제 1도파로와 제 2도파로를 구비하는 파장변환기의 구현 방법에 있어서,상기 제 1 및 제 2도파로 중에 적어도 어느 한 쪽의 도파로 양 끝면을 각각 식각한 후 무반사 코팅한 다음 클리빙을 통하여 분리함으로서 반사면과 무반사면을 갖는 파장변환 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법.청구항 1에 있어서, 상기 제 1도파로가 반도체-광증폭기로 구성되는 경우 제 2도파로는 파브리-페롯형
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