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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0027383 (2001-05-18) |
공개번호 | 10-2002-0088621 (2002-11-29) |
등록번호 | 10-0407507-0000 (2003-11-17) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010027383 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-05-18) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 다중의 반응가스 및 퍼징가스를 소정의 시간간격을 두고 순차적으로 분사하여 기판상에 원자층 박막을 적층함에 있어서, 가스주입 통로내에 서로 격리된 각 반응가스에 대한 각각의 분사노즐들을 별도로 구비하고 이들 가스분사 노즐의 사이에 퍼지가스 노즐을 축설하여 순차적으로 동작시킴으로써 가스주입구 및 반응실내에서 반응가스간의 원하지 않는 반응으로 인한 이물질의 생성을 방지하는 원자층 증착장치의 가스 분사장치에 관한 것이다.
2종 이상의 반응가스를 반응실내로 소정의 시간간격으로 순차적으로 분사하여 피처리기판에 원자층 박막을 적층시키는 가스분사 장치에 있어서, 상기 반응실내로 가스를 분사하기 위한 가스주입 통로내에, 반응가스를 소정의 시간동안 분사하는 가스분사 노즐이 각 반응가스에 대해 개별적으로 마련되고, 소정량의 퍼지가스를 분사하여 가스주입구 및 반응실을 퍼징시키는 퍼지가스 노즐이 상기 각 가스분사 노즐들 사이에 형성되어 반응가스간의 원하지 않는 반응을 차단하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치의 가스분사 장치.
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