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[한국특허] 원자층 증착장치의 가스 분사장치
Gas injector for ALD device
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/20
출원번호 10-2001-0027383 (2001-05-18)
공개번호 10-2002-0088621 (2002-11-29)
등록번호 10-0407507-0000 (2003-11-17)
DOI http://doi.org/10.8080/1020010027383
발명자 / 주소
  • 최종문 / 경기도성남시분당구정자동정든마을***-***
  • 박재균 / 경기도수원시팔달구영통동***-*.대우아파트***-****
  • 유재안 / 경기도성남시분당구수내동파크타운***-****
  • 이범희 / 경기도수원시팔달구인계동한신아파트***-***
  • 이경복 / 경기도수원시팔달구영통동***-*.삼익아파트***-***
  • 이재형 / 경기도용인시수지읍상현리동보*차***-****
출원인 / 주소
  • 주식회사 피에스티 / 경기도 이천시 마장면 이평리 ***-*
대리인 / 주소
  • 홍성표; 이현재; 이선행 (Hong, Sung Pyo)
  • 서울시 금천구 가산동 ***-** 코오롱디지털타워 애스턴***호(남양국제특허법률사무소); 서울 강남구 역삼동 ***-* 뉴서울빌딩 ***호 ( 베스텍 국제특허법률사무소); 서울 강남구 역삼동 ***-* 뉴서울빌딩 ***호 베스텍 국제특허법률사무소
심사청구여부 있음 (2001-05-18)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 다중의 반응가스 및 퍼징가스를 소정의 시간간격을 두고 순차적으로 분사하여 기판상에 원자층 박막을 적층함에 있어서, 가스주입 통로내에 서로 격리된 각 반응가스에 대한 각각의 분사노즐들을 별도로 구비하고 이들 가스분사 노즐의 사이에 퍼지가스 노즐을 축설하여 순차적으로 동작시킴으로써 가스주입구 및 반응실내에서 반응가스간의 원하지 않는 반응으로 인한 이물질의 생성을 방지하는 원자층 증착장치의 가스 분사장치에 관한 것이다.

대표청구항

2종 이상의 반응가스를 반응실내로 소정의 시간간격으로 순차적으로 분사하여 피처리기판에 원자층 박막을 적층시키는 가스분사 장치에 있어서, 상기 반응실내로 가스를 분사하기 위한 가스주입 통로내에, 반응가스를 소정의 시간동안 분사하는 가스분사 노즐이 각 반응가스에 대해 개별적으로 마련되고, 소정량의 퍼지가스를 분사하여 가스주입구 및 반응실을 퍼징시키는 퍼지가스 노즐이 상기 각 가스분사 노즐들 사이에 형성되어 반응가스간의 원하지 않는 반응을 차단하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치의 가스분사 장치.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] ORGANIC METALLIC GASEOUS PHASE GROWING DEVICE AND METHOD THEREFOR USING THE SAME | IKEDA MASAKIYO, HATTORI SATOSHI, NAKAI AKINOBU
  2. [일본] VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWING DEVICE | ISHII JUN, TAKAHASHI KAZUHISA

이 특허를 인용한 특허 (4)

  1. [한국] 원자층 증착 설비 | 박용성, 이성광, 김동렬, 김기훈
  2. [한국] 원자층 증착 설비 및 그 방법 | 박용성, 이성광, 김동렬, 김기훈
  3. [한국] 티타늄 클래드 제품과 티타늄의 용접육성을 위한 제조방법 및 제조장치 | 나한성
  4. [한국] 박막 형성 방법 | 전성진, 한영기, 박상기, 김헌도
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