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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0027756 (2001-05-21) |
공개번호 | 10-2002-0088786 (2002-11-29) |
등록번호 | 10-0415827-0000 (2004-01-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010027756 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-05-21) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 경소마그네시아(MgO)를 수화시켜 수산화마그네슘[Mg(OH)2] 슬러리를 제조하는 방법에 있어서, 경소마그네시아 분말을 10~35℃의 물에 풀어 농도 35~40%의 마그네시아 슬러리로 만들어준 다음, 습식분쇄로 마그네시아의 평균입도가 1~7㎛ 범위를 유지하도록 분쇄하여 수화반응을 완결시키고 여기에 농도 35~40%의 마그네시아 슬러리를 수산화마그네슘 슬러리 중량의 10~20wt%에 해당하는 양을 투입하여 투입된 마그네시아가 자체 반응열 만으로 수화반응을 일으키도록 하여 고농도의 수산화마그네슘 슬러리를 제조하는 방법에 관한
경소마그네시아(MgO)를 수화시켜 수산화마그네슘[Mg(OH)2] 슬러리를 제조하는 방법에 있어서, 경소마그네시아 분말을 10~35℃의 물에 풀어 농도 35~40%의 마그네시아 슬러리로 만들어준 다음, 습식분쇄로 마그네시아의 평균입도가 1~7㎛ 범위를 유지하도록 분쇄하여 수화반응을 시작시키고 이 슬러리를 수화반응이 이루어져 Mg(OH)2 농도 45∼50%, 온도가 90℃ 이상을 유지하는 수산화마그네슘 슬러리에 수산화마그네슘 슬러리 양에 대하여 시간당 15∼50 vol %에 해당하는 상기의 마그네시아 슬러리를 연속적으로 투입하여 투입된
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