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연합인증

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반도체 메모리 장치의 리던던시 회로 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G11C-029/00
출원번호 10-2001-0029101 (2001-05-25)
공개번호 10-2002-0089988 (2002-11-30)
등록번호 10-0388208-0000 (2003-06-05)
DOI http://doi.org/10.8080/1020010029101
발명자 / 주소
  • 허영도 / 충청북도청주시흥덕구가경동진로아파트***동****호
  • 이종천 / 충청북도청주시흥덕구분평동****
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 강성배 (Sung-Bae KANG)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 원빌딩 **층 ****호
심사청구여부 있음 (2001-05-25)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 검증 시간을 줄이면서 노멀용 메모리셀과 구제용 메모리셀이 인접한 메모리셀의 상호간의 간섭에 의한 불량을 검출할 수 있는 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로는 다수개의 데이타를 저장하는 N개의 메모리 뱅크로 구성된 정상 메모리셀 어레이부와, 상기 정상 메모리셀 어레이부의 결함 셀을 리페어하기 위해 N개의 메모리 뱅크로 구성된 리던던시 메모리셀 어레이부와, 테스트 동작을 알리는 테스트 모드 신호를 발생하는 테스트모드신호 발생부와, 상기 테스트 모드신호

대표청구항 ▼

반도체 메모리 장치의 리던던시 회로에 있어서,다수개의 데이타를 저장하는 정상 메모리셀 어레이부와,상기 정상 메모리셀 어레이부의 결함 셀을 리페어하기 위한 리던던시 메모리셀 어레이부와,테스트 동작을 알리는 테스트 모드 신호를 발생하는 테스트모드신호 발생부와,상기 테스트 모드신호와 리프레시 모드시 인에이블되는 제1 신호와 리프레시 모드시 한번 토글하는 제2 신호를 수신하여 로오 어드레스 카운터 신호를 발생하는 로오 어드레스 카운터부와, 상기 테스트 모드신호와 상기 제2 신호와 상기 로오 어드레스 카운터신호의 일부를 수신하여 상기 로오

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