[특허]반도체 웨이퍼 및 그의 제조방법

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[한국특허] 반도체 웨이퍼 및 그의 제조방법
Semiconductor wafer and method of fabricatingthereof 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/304
출원번호	10-2001-0064745 (2001-10-19)
공개번호	10-2003-0032701 (2003-04-26)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020010064745
발명자 / 주소	문도민 / 경상북도구미시임수동***번지
출원인 / 주소	주식회사 실트론 / 경북 구미시 임수동 ***번지
대리인 / 주소	양순석 (YANG, Soon Seok) 서울 강남구 역삼동 *- 강남제일빌딩 ***호
심사청구여부	있음 (2001-10-19)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록 ▼

본 발명은 반도체 웨이퍼 및 그의 제조방법으로서, 실리콘 단결정 잉곳을 절단한 후 성형공정을 진행하여 제1면 및 제2면을 가진 웨이퍼를 형성하는 공정과; 상기 제1면 및 제2면을 평탄화하기 위한 연삭공정과; 상기 연삭 공정시 형성된 제1면 및 제2면의 가공변질층 중, 상기 제1면의 가공변질층은 완전 제거시키면서 경면화하고, 상기 제2면의 가공 변질층은 일부 잔존시키면서 경면화하기 위한 폴리싱 공정을 진행하여 상기 제2면의 가공변질층이 상기 제1면의 가공변질층 보다 더 두껍게 형성되는 것을 포함하여 이루어진다.따라서, 반도체 웨이퍼의

대표청구항

실리콘 단결정 잉곳을 절단한 후 성형공정을 진행하여 제1면 및 제2면을 가진 웨이퍼를 형성하는 공정과; 상기 제1면 및 제2면을 평탄화하기 위한 연삭공정과;상기 연삭 공정시 형성된 제1면 및 제2면의 가공변질층 중, 상기 제1면의 가공변질층은 완전 제거하여 경면화하고, 상기 제2면의 가공 변질층은 일부 잔존시키면서 경면화하기 위한 폴리싱 공정을 진행하여 상기 제2면의 가공변질층이 상기 제1면의 가공변질층 보다 더 두껍게 형성되도록 하는 것을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조방법.

이 특허에 인용된 특허 (2)

[미국] Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | Xin Yun-Biao
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[일본] WAFER AND MANUFACTURE THEREOF | SHIMURA TAKASHI, YAMAMOTO SATORU, YUI HAJIME, NONAKA MASAHIKO, ISHIHARA TAKAO
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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