최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-2001-0076884 (2001-12-06) |
공개번호 | 10-2003-0046669 (2003-06-18) |
등록번호 | 10-0498871-0000 (2005-06-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010076884 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2001-12-06) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 인듐 제조방법에 관한 것으로, 순도 4N(99.99%)의 금속 인듐을 진공로에 투입하여 소정의 온도로 일정시간 동안 유지시킨 후 냉각시키는 진공정련단계와, 진공정련된 목적물을 InCl로 치환하는 단계와, 치환된 고체 InCl을 기체로 승화시킨 다음 이를 응축시켜 다시 고체로 되돌리는 증발/승화단계 및, 상기 승화단계에서 얻어진 InCl을 In으로 환원시키는 단계를 거쳐, 4N의 순도를 가진 금속 인듐을 원료로 하여 6N(99.9999%) 이상의 고순도 인듐을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 전해정련과정을 통해 7N급의 인듐
순도 4N(99.99%)의 금속 인듐을 진공로에 투입하여 In의 용융온도 이상의 온도로 일정시간 동안 유지시킨 후 냉각시키는 진공정련단계;와진공정련된 목적물에 를 투입하고 가스 또는 가스를 주입하여 InCl로 치환하는 단계;와치환된 InCl을 진공상태에서 승화온도까지 가열하여 기체로 승화시킨 다음 이를 응축시켜 다시 고체로 되돌리는 증발/승화단계; 및상기 승화단계에서 얻어진 InCl에 진공상태에서 가스를 주입하여 In으로 환원시키는 단계;를 포함하는 인듐 제조방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.