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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0087695 (2001-12-29) |
공개번호 | 10-2003-0057622 (2003-07-07) |
등록번호 | 10-0472724-0000 (2005-02-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010087695 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-12-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 높은 분극값을 갖는 강유전체 캐패시터 제조방법에 관한 것으로 이를 위한 본 발명은, 기판상에 제1 하부전극을 일축 결정방향으로 형성하는 단계; 상기 제1 하부전극상에 제2 하부전극을 상기 일축 결정방향으로 형성하는 단계; 및 상기 제2 하부전극상에 유전체를 상기 일축 결정방향으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
기판상에 제1 하부전극을 일축 결정방향으로 형성하는 단계;상기 제1 하부전극상에 제2 하부전극을 상기 일축 결정방향으로 형성하는 단계; 및상기 제2 하부전극상에 유전체를 상기 일축 결정방향으로 형성하는 단계를 포함하는 강유전체 캐패시터 제조방법.
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