IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-2001-7016545
(2001-12-24)
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공개번호 |
10-2002-0026468
(2002-04-10)
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등록번호 |
10-0443761-0000
(2004-07-30)
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국제출원번호 |
PCT/EP2000/005800
(2000-06-23)
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국제공개번호 |
WO2001001439
(2001-01-04)
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번역문제출일자 |
2001-12-24
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020017016545
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발명자
/ 주소 |
- 포이어바움,한스-페터
/ 독일데-*****뮌헨아르노-아스만-슈트라쎄**
- 빙클러,디이터
/ 독일데-*****뮌헨아르노-아스만-슈트라쎄*
- 켈라,드로르
/ 이스라엘*****네스-지오나인더스트리얼존비피.오.박스***
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출원인 / 주소 |
- 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 / 독일 하임슈테텐 암메르탈슈트라쎄 ** (우:*****)
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대리인 / 주소 |
-
남상선
(NAM, Sang Sun)
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서울시 중구 서소문동 **-*,대한항공빌딩 *층(남앤드남국제특허법률사무소)
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심사청구여부 |
있음 (2002-01-22) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
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본 발명은 하전된 입자 빔(4)을 제공하기 위한 입자 소스(2); 광축(6)을 가지며 표본(8) 상에 입자 빔을 포커싱하기 대물렌즈(10); 및 상기 대물렌즈(10)의 광축(6)에 위치된 입자 거울(14)을 포함하며, 상기 입자 거울(14)은 전면(27), 후면(28), 상기 후면(28)으로부터 전면(27)으로 상기 하전된 입자 빔(4)을 통과시키기 위해 상기 후면(28)으로부터 전면(27)에 이르는 드리프트 영역(26), 및 상기 표본(8)으로부터 나오는 하전된 입자를 검출기(16) 쪽으로 편향시키기 위해 상기 전면(27)상에
본 발명은 하전된 입자 빔(4)을 제공하기 위한 입자 소스(2); 광축(6)을 가지며 표본(8) 상에 입자 빔을 포커싱하기 대물렌즈(10); 및 상기 대물렌즈(10)의 광축(6)에 위치된 입자 거울(14)을 포함하며, 상기 입자 거울(14)은 전면(27), 후면(28), 상기 후면(28)으로부터 전면(27)으로 상기 하전된 입자 빔(4)을 통과시키기 위해 상기 후면(28)으로부터 전면(27)에 이르는 드리프트 영역(26), 및 상기 표본(8)으로부터 나오는 하전된 입자를 검출기(16) 쪽으로 편향시키기 위해 상기 전면(27)상에 위치된 편향 영역(25)을 가지며, 상기 드리프트 영역(26)은 광축(6)으로부터 떨어져 위치되어 있는 하전 입자 장치(1)를 제공한다.
대표청구항
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하전 입자 장치(1)로서, 하전된 입자 빔(4)을 제공하기 위한 입자 소스(2); 광축(6)을 가지며 표본(8) 상에 입자 빔을 포커싱하기 대물렌즈(10); 및 상기 대물렌즈(10)의 광축(6)에 위치된 입자 거울(14)을 포함하며, 상기 입자 거울(14)은 전면(27), 후면(28), 상기 후면(28)으로부터 전면(27)으로 상기 하전된 입자 빔(4)을 통과시키기 위해 상기 후면(28)으로부터 전면(27)에 이르는 드리프트 영역(26), 및 상기 표본(8)으로부터 나오는 하전된 입자를 검출기(16) 쪽으로 편향시키기 위해 상
하전 입자 장치(1)로서, 하전된 입자 빔(4)을 제공하기 위한 입자 소스(2); 광축(6)을 가지며 표본(8) 상에 입자 빔을 포커싱하기 대물렌즈(10); 및 상기 대물렌즈(10)의 광축(6)에 위치된 입자 거울(14)을 포함하며, 상기 입자 거울(14)은 전면(27), 후면(28), 상기 후면(28)으로부터 전면(27)으로 상기 하전된 입자 빔(4)을 통과시키기 위해 상기 후면(28)으로부터 전면(27)에 이르는 드리프트 영역(26), 및 상기 표본(8)으로부터 나오는 하전된 입자를 검출기(16) 쪽으로 편향시키기 위해 상기 전면(27)상에 위치된 편향 영역(25)을 가지며, 상기 드리프트 영역(26)은 광축(6)으로부터 떨어져 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 속도 범위와 소정의 각도 범위에서 모든 입자들을 편향시키기 위해 전면(27) 상에 위치된 편향 영역(25)을 포함하며, 입자가 거울을 때리는 포인트에서, 입자의 출사 경로와 거울의 전면에 수직한 축 사이의 각도 는 입자의 입사 경로와 거울의 전면에 수직한 축 사이의 각도 와 동일한 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항 또는 제2항에 있어서, 상기 후면(28)으로부터 전면(27)에 이르는 드리프트 영역(26)은 거울의 기하학적 중심(40)으로부터 멀리 떨어져 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 대물렌즈의 광축을 따라 하전된 입자 빔을 지향시키기 위한 편향 유닛(12C)을 더 포함하며, 상기 편향 유닛(12C)은 입자 거울(14)과 대물렌즈(10) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 4항에 있어서, 상기 하전된 입자 빔(4)을 광축(6)으로부터 멀리 대물렌즈(10)의 광축(6) 상에 편향시키기 위한 3단계 편향 유닛(12)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항 내지 5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 약 20 내지 70도 사이 바람직하게는 40 내지 50도 가장 바람직하게는 45도의 각도 α만큼 광축(6)에 대하여 기울어진 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항 내지 6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 에너지보다 적은 에너지를 가지는 모든 입자들을 편향시키기에 충분한 소정의 포텐샬을 유지하는 도전성 편향 그리드(41) 또는 도전면(21)을 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 7항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 하전 입자 장치의 레스트로부터 도전면(21)이나 도전성 편향 그리드(41)의 스크린 포텐샬을 위한 적어도 하나의 도전성 스크린 그리드(22)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 7항 또는 8항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 에너지보다 많은 에너지를 가지는 임자들을 흡수하기 위한 입자 흡수기(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 7항 또는 8항에 있어서, 제2 검출기(24)가 소정의 에너지보다 많은 에너지를 가지는 입자들을 검출하기 위해 도전성 편향 그리드(41) 뒤에 배열되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항 내지 10항중 어느 한 항에 있어서, 고역 통과 필터(30)가 검출기(16) 전방에 배열되어, 소정의 에너지 이상의 에너지를 가지는 입자들만 상기 검출기(16)로 들어가는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 11항에 있어서, 상기 고역 통과 필터(30)는 소정의 에너지보다 보다 작은 에너지를 가지는 모든 입자들을 필터링하기에 충분한 소정의 포텐샬로 유지하는 도전성 필터링 그리드(31)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 1항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 드리프트 영역(26)은 대물렌즈(10)의 광축(6)으로부터 멀리 떨어져 위치되며, 대물렌즈(10)의 광축(6)으로부터 측정될 때 각도 ≤5도, 바람직하게는 ≤10도 내의 표본으로부터 나오는 모든 하전된 입자들은 거울(14)의 편향 영역(25)을 때리는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 하전 입자 장치에 사용하기 위한 입자 거울(14)로서, 전면(27) 및 후면(28); 소정의 속도 범위 및 소정의 각도 범위에서 모든 입자들을 편향시키기 위해 상기 전면(27)에 위치된 편향 영역(25); 및 상기 후면(28)으로부터 전면(27)으로 입자들을 통과시키기 위해 후면(28)으로부터 전면(27)에 이르는 드리프트 영역(26)을 포함하며, 상기 드리프트 영역(26)은 거울의 기하 중심(40)으로부터 떨어져 위치되는 것을 특징으로 하는 입자 거울. 제 14항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 에너지보다 작은 에너지를 가지는 모든 입자들을 편향시키기에 충분한 소정의 포텐샬을 유지하는 도전성 편향 그리드(41) 또는 도전면(21)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 거울. 제 15항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 상기 도전면(21) 이나 도전성 편향 그리드(41)의 스크린 포텐샬을 위한 적어도 하나의 도전성 스크린 그리드(22)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 거울. 제 15항 또는 16항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 보다 많은 소정의 에너지를 가지는 입자들을 흡수하기 위한 입자 흡수기(23)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입자 거울. 제 14항 내지 17항중 어느 한 항에 있어서, 상기 편향 영역(25)은 입자들을 편향시키며, 그것에 의해 입자의 출사 경로와 거울의 전면에 수직한 축 사이의 각도는 입자들이 거울을 때리는 포인트에서 입자의 입사 경로와 거울의 전면에 수직한 축 사이의 각도와 동일한 것을 특징으로 하는 입자 거울. 하전 입자의 빔으로 표본을 검사하기 위한 방법으로서, 하전 입자 빔을 제공하는 단계; 상기 하전 입자 빔을 입자 거울의 후면으로부터 전면에 이르는 드리프트 영역을 통과시키는 단계; 대물렌즈로 표본상에 입자 빔을 포커싱하는 단계를 포함하는데, 상기 대물렌즈는 광축을 가지며; 및 상기 표본에서 나오는 하전 입자들을 입자 거울의 편향 영역에서 검출기 쪽으로 편향시키는 단계를 포함하며, 상기 드리프트 영역은 광축으로부터 떨어져 위치되는 것을 특징으로 하는 방법. 하전 입자 장치(1)로서, 하전 입자 빔(4)을 제공하기 위한 입자 소스(2); 입자 빔(4)을 표본(8) 상에 포커싱하기 위한 대물렌즈(10); 표본으로부터 나오는 하전입자들을 검출기(16) 쪽으로 편향시키기 위한 입자 거울(14); 및 검출기(16) 전방에 배열되어 소정 에너지 이상의 에너지를 갖는 입자들만 검출기(16)로 들어가도록 하는 고역 통과 필터(30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 20항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 에너지보다 작은 에너지를 갖는 모든 입자들을 편향시키기에 충분한 소정의 포텐샬을 유지하는 도전면(21) 또는 도전성 편향 그리드(41)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 21항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 하전 입자 장치의 레스트로부터 도전면(21)이나 도전성 편향 그리드(41)의 스크린 포텐샬을 위한 적어도 하나의 도전성 스크린 그리드(22)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 21항 또는 22항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 에너지보다 많은 에너지를 갖는 입자들을 흡수하기 위한 입자 흡수기(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 20항 내지 23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 소정의 속도 범위와 소정의 각도 범위에서 모든 입자들을 편향시키기 위해 전면(27) 상에 위치된 편향 영역(25)을 포함하며, 입자가 거울을 때리는 포인트에서, 입자의 출사 경로와 거울의 전면에 수직한 축 사이의 각도 는 입자의 입사 경로와 거울의 전면에 수직한 축 사이의 각도 와 동일한 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치. 제 20항 내지 24항중 어느 한 항에 있어서, 상기 입자 거울(14)은 약 20 내지 70도 사이 바람직하게는 40 내지 50도 가장 바람직하게는 45도의 각도 α만큼 광축(6)에 대하여 기울어진 것을 특징으로 하는 하전 입자 장치.<
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