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연합인증

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세라믹 여재와 3단여과에 의한 하수고도처리방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C02F-003/30
출원번호 10-2002-0008198 (2002-02-15)
공개번호 10-2003-0068311 (2003-08-21)
등록번호 10-0428416-0000 (2004-04-09)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020008198
발명자 / 주소
  • 문정석 / 서울특별시강남구개포*동주공아파트***동***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 신우엔지니어링 / 경기도 성남시 중원구 상대원동 ****-* 크란츠테크노 ****호
대리인 / 주소
  • 박장원 (PARK, Jang Won)
  • 서울특별시 강남구 논현동 ***번지
심사청구여부 있음 (2002-02-15)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 세라믹 여재와 3단여과에 의한 하수고도처리방법에 관한 것으로, 1단여과지에서 하부수층에 하수를 유입시키면서 하향류 여과와 폭기 여과를 행하여 여재에 부착 성장하는 호기성 미생물에 의해 BOD를 제거하고, 질산화균에 의해 암모니아성질소를 질산화시키는 1단 여과단계와, 1단여과지에서 상기 하수의 일부를 유입시킴과 아울러 1단여과지에서 여과된 처리수를 유입시키면서 상향류 여과와 무산소 여과를 행하여 여재에 부착 성장하는 탈질균에 의한 탈질반응으로 질소를 제거하는 2단 여과단계와, 3단여과지에 2단여과지에서 여과된 처리수를 유입

대표청구항 ▼

상부수층, 중간세라믹여재층, 하부수층이 구비되고, 중간세라믹여재층과 하부수층 사이에 에어레이션을 위한 폭기장치가 구비된 1단여과지에서 하부수층에 하수를 유입시키면서 하향류 여과와 폭기 여과를 행하여 여재에 부착 성장하는 호기성 미생물에 의해 BOD를 제거하고, 질산화균에 의해 암모니아성질소를 질산화시키는 1단 여과단계와;상부수층, 중간세라믹여재층, 하부수층이 구비되고, 중간세라믹여재층과 하부수층 사이에 에어레이션을 위한 폭기장치가 구비된 2단여과지의 하부수층에 상기 1단여과지에서 여과된 처리수를 유입시킴과 상기 하수의 일부를 유입시

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