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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2002-0020587 (2002-04-16) |
공개번호 | 10-2003-0082059 (2003-10-22) |
등록번호 | 10-0445287-0000 (2004-08-11) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020020587 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2002-04-16) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 폴리아닐린의 새로운 제조 방법에 관한 것으로, 아닐린(aniline) 단량체를 도데실벤젠술폰산(dodecylbenzene sulfonic acid, DBSA)또는 파라톨루엔술폰산(p-toluene sulfonic acid, PTSA), 폴리스티렌술폰산(Polystyrene sulfonic acid, PSSA)과 같은 유기산 중에 하나 또는 그 이상의 조합을 도판트(dopant)로 사용하고, 암모늄퍼술페이트(ammonium persulfate, APS)를 산화제로 사용하여 폴리아닐린 전기전도성 고분자를 제조하는 방법으로,
아닐린 단량체, 가용성 보조제 및 도데실벤젠술폰산, 파라톨루엔술폰산, 또는 폴리스티렌술폰산과 같은 유기산 중에서 선택된 하나 이상의 유기산으로 이루어지는 아닐린 조성물을 25℃에서 암모니움퍼설페이트로 반응시키는 것을 특징으로 하는 폴리아닐린의 제조 방법.제1항에 있어서, 가용성 보조제는 메틸 메타크릴레이트 또는 스틸렌 단량체로부터 선택되는 1종 이상으로 아닐린 단량체의 0.02 내지 0.3 몰비로 사용되는 것을 특징으로 하는 폴리아닐린의 제조 방법.
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