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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-0030700 (2002-05-31) |
공개번호 | 10-2003-0092862 (2003-12-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020030700 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 반도체 소자의 감쇄형 위상 반전 마스크(Mask)에 관한 것으로, 특히 감쇄형 위상 반전 마스크의 가드링(Guard ring) 내, 외측에 각각 형성된 제 1, 제 2 스캐터링 스페이스(Scattering space)가 구비됨으로써, 상기 제 1, 제 2 스캐터링 스페이스에 의해 상기 가드링 주위에 발생되는 고차 회절광이 소멸간섭되어 웨이퍼 상에 결상되기 때문에 상기 감광막 패턴 주위에 불량 패턴의 발생을 방지하여 양호한 감광막 패턴을 형성하므로 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
투명기판과,상기 투명기판 상에 쉬프트층이 적층된 구조의 마스크 패턴영역, 상기 마스크 패턴영역 외각의 투명기판에 형성된 가드링, 상기 가드링 내외 측의 투명기판에 각각 형성되며 상기 가드링 주위에 발생되는 고차 회절광을 소멸 간섭시키는 제 1, 제 2 스캐터링 스페이스로 구성된 투광 영역과,상기 투광 영역 외각에 상기 투명기판, 쉬프트층 및 차광막이 적층된 구조의 차광 영역과,상기 제 1 스캐터링 스페이스와 가드링 사이, 상기 가드링과 제 2 스캐터링 스페이스 사이 및 상기 제 2 스캐터링 스페이스와 차광 영역 사이에 형성되며 투광
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