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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-7008393 (2002-06-27) |
공개번호 | 10-2002-0074466 (2002-09-30) |
등록번호 | 10-0471517-0000 (2005-02-02) |
국제출원번호 | PCT/EP2000/012327 (2000-12-07) |
국제공개번호 | WO2001047804 (2001-07-05) |
번역문제출일자 | 2002-06-27 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020027008393 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-12-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 공업에 사용하기 위한 고순도 황산을 제조하는 신규한 방법에 관한 것이다. 본 방법은 SO2 농도를 감소시키기 위해 처리될 발연 황산에 과산화수소 용액을 가하고, SO3을 증발시키고, 흔적량의 산을 분리하는 것을 포함한다. 이어서 고순도 SO3을 불활성 기체로 부화시키고 SO3을 황산에 흡수시킨다.
a) 1 내지 70%의 농도를 갖는 과산화수소 용액을 24 내지 70% 공업용 발연 황산(oleum)에 SO2 농도를 10ppm 미만으로 저하시키는데 충분한 양으로 가하고,b) 발연 황산중의 SO3을 낙하 필름 증발기에서 90 내지 130℃에서 증발시키고,c) 예를 들어 캔들 여과기(candle filter)의 형태인 디미스터(demister)를 사용하여 증발기로부터 방출되는 SO3 기체 스트림으로부터 흔적량의 황산 및 니트로실 황산을 제거하고,d) 고순도 SO3을 불활성 기체로 부화시키고, e) 냉각시키면서 농도 90 내지 99%
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