초록 ▼

본 발명은 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 하기 화학식 1의 조성을 가진 촉매의 존재 하에서 무수프탈산을 수소화시켜 프탈라이드를 제조하는 방법은 저온, 저압, 및 반응물에 대한 수소의 저몰비 조건하에서 고선택율, 고수율 및 고생산성을 나타내며 촉매의 수시 재활성화 조작을 수행하지 않고도 장기간 안정적으로 프탈라이드를 제조할 수 있다.CUO(A)MNO2(B)M(C)SIO2(D)상기 식에서, A, B, C 및 D는 중량을 기준으로 한 백분율을 나타내며, A는 40 내지 90이고, B는 0.

본 발명은 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 하기 화학식 1의 조성을 가진 촉매의 존재 하에서 무수프탈산을 수소화시켜 프탈라이드를 제조하는 방법은 저온, 저압, 및 반응물에 대한 수소의 저몰비 조건하에서 고선택율, 고수율 및 고생산성을 나타내며 촉매의 수시 재활성화 조작을 수행하지 않고도 장기간 안정적으로 프탈라이드를 제조할 수 있다.CUO(A)MNO2(B)M(C)SIO2(D)상기 식에서, A, B, C 및 D는 중량을 기준으로 한 백분율을 나타내며, A는 40 내지 90이고, B는 0.15 내지 5이고, C는 0.001 내지 10이고, D는 5 내지 45이고, M은 아연(ZN), 백금(PT), 팔라듐(PD), 레늄(RE), 루테늄(RU) 및 로듐(RH) 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 나타낸다.

대표청구항 ▼

하기 화학식 1로 표시되는 촉매의 존재하에 무수프탈산을 수소화하는 것을 포함하는, 프탈라이드의 제조 방법:화학식 1CuO(a)MnO2(b)M(c)SiO2(d)상기 식에서, a, b, c 및 d는 중량을 기준으로 한 백분율로서, a는 40 내지 90이고, b는 0.15 내지 5이고, c는 0.001 내지 10이고, d는 5 내지 45이고, M은 아연(Zn), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 레늄(Re), 루테늄(Ru) 및 로듐(Rh) 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 나타낸다. 제 1 항에 있어서,상기 촉

하기 화학식 1로 표시되는 촉매의 존재하에 무수프탈산을 수소화하는 것을 포함하는, 프탈라이드의 제조 방법:화학식 1CuO(a)MnO2(b)M(c)SiO2(d)상기 식에서, a, b, c 및 d는 중량을 기준으로 한 백분율로서, a는 40 내지 90이고, b는 0.15 내지 5이고, c는 0.001 내지 10이고, d는 5 내지 45이고, M은 아연(Zn), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 레늄(Re), 루테늄(Ru) 및 로듐(Rh) 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 나타낸다. 제 1 항에 있어서,상기 촉매를, 수소 또는 수소함유 기체를 이용하여 100 내지 250 ℃에서 1 내지 60시간 정도 활성화시킨 후, 수소화 반응에 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.제 1 항에 있어서,수소화 반응이 1 내지 40기압의 압력 하에 180 내지 300 ℃의 온도에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.제 1 항에 있어서,수소화 반응이, 무수프탈산의 공급 WHSV(Weight hourly space velocity, 무게공간속도) 0.05 내지 4.0 hr-1, 수소 : 무수프탈산의 몰비 40 내지 600 : 1인 조건하에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.제 1 항에 있어서,용융된 무수프탈산 또는 유기용매 중의 5 ~ 80 중량%의 무수프탈산 용액을 기화시켜 무수프탈산을 수소화반응에 공급하며, 이때 유기용매는 테트라하이드로퓨란, 디옥산 및 에틸렌글리콜에테르중에서 선택되는 에테르류, 또는 프탈라이드, 톨루엔 및 자일렌 중에서 선택되는 탄화수소류, 또는 이들의 혼합 용매임을 특징으로 하는 방법.