IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 |
10-2003-0028714
(2003-05-06)
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공개번호 |
10-2004-0095105
(2004-11-12)
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등록번호 |
10-0541017-0000
(2005-12-28)
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DOI |
http://doi.org/10.8080/1020030028714
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발명자
/ 주소 |
- 김정순
/ 충청남도청양군대치면주정리*구***
- 홍성진
/ 충청북도청주시흥덕구개신동주공아파트***동***호
- 엄환섭
/ 경기도용인시신봉동***번지LG*차***-****
- 김형석
/ 경기도오산시오산동***-*주공APT***-****
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출원인 / 주소 |
- 고등기술연구원연구조합 / 경기 용인시 처인구 백암면 고안리 ***-*
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대리인 / 주소 |
-
윤병삼;
감동훈
(Youn Byung Sam)
-
서울 강남구 역삼동 ***-* *층 (신우국제특허법률사무소);
서울 강남구 역삼동 ***-* 뉴서울빌딩 ***호(신우국제특허법률사무소)
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심사청구여부 |
있음 (2003-05-06) |
심사진행상태 |
등록결정(일반) |
법적상태 |
소멸 |
초록
▼
본 발명은 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로서, 플라즈마를 배출하는 토치전극의 배열을 달리하여 대면적의 평판형태 또는 굴곡이 있는 대면적의 피처리물을 표면처리할 수 있도록 하는 데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은 중공의 몸체, 중공의 몸체 내부로 가스를 유입시키는 유입구, 및 중공의 몸체 상부에 봉형으로 위치한 제1전극과, 유전체로 형성되어 제1전극에 공간을 두고 감싸는 관형상의 유전체관, 및 유전체관을 감싸는 제2전극으로 이루어진 복수개의 토치전극을 구비하여, 제1전극과 제2전극에 인가된 전원에
본 발명은 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로서, 플라즈마를 배출하는 토치전극의 배열을 달리하여 대면적의 평판형태 또는 굴곡이 있는 대면적의 피처리물을 표면처리할 수 있도록 하는 데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은 중공의 몸체, 중공의 몸체 내부로 가스를 유입시키는 유입구, 및 중공의 몸체 상부에 봉형으로 위치한 제1전극과, 유전체로 형성되어 제1전극에 공간을 두고 감싸는 관형상의 유전체관, 및 유전체관을 감싸는 제2전극으로 이루어진 복수개의 토치전극을 구비하여, 제1전극과 제2전극에 인가된 전원에 의해 발생된 플라즈마를 유전체관을 통해 배출하여 피처리물의 표면처리를 수행할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명에 따르면, 대형 평판의 피처리물의 처리 뿐만 아니라 굴곡이 있는 대형 피처리물도 균일한 표면처리 및 표면코팅을 할 수 있다. 또한, 진공 플라즈마에서 할 수 없는 인-라인(IN-LINE) 시스템 구현이 가능하여 기존 공정에 대체 또는 부가하여 사용할 수 있다.
대표청구항
▼
중공의 몸체;상기 중공의 몸체 내부로 가스를 유입시키는 유입구; 및 중공의 몸체 상부에 봉형으로 위치한 제1전극과, 유전체로 형성되어 상기 제1전극에 공간을 두고 감싸는 관형상의 유전체관, 및 상기 유전체관을 감싸는 제2전극으로 이루어진 복수개의 토치전극을 구비하여, 상기 제1전극과 제2전극에 인가된 전원에 의해 발생된 플라즈마를 상기 유전체관을 통해 배출하여 피처리물의 표면처리를 수행할 수 있도록 한 대면적 표면처리용 상압플라즈마 표면처리장치.제 1 항에 있어서, 상기 몸체 내부에 글래스 비스, 글래스 울, 시브, 메쉬 중 어느
중공의 몸체;상기 중공의 몸체 내부로 가스를 유입시키는 유입구; 및 중공의 몸체 상부에 봉형으로 위치한 제1전극과, 유전체로 형성되어 상기 제1전극에 공간을 두고 감싸는 관형상의 유전체관, 및 상기 유전체관을 감싸는 제2전극으로 이루어진 복수개의 토치전극을 구비하여, 상기 제1전극과 제2전극에 인가된 전원에 의해 발생된 플라즈마를 상기 유전체관을 통해 배출하여 피처리물의 표면처리를 수행할 수 있도록 한 대면적 표면처리용 상압플라즈마 표면처리장치.제 1 항에 있어서, 상기 몸체 내부에 글래스 비스, 글래스 울, 시브, 메쉬 중 어느 하나가 설치되어 상기 유입구로 유입된 가스가 상기 배출공으로 균일하게 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 2 항에 있어서, 상기 토치전극은 상기 유전체관을 중심으로 상기 제1전극이 상기 제2전극보다 더 돌출되어 상기 유전체관 내부의 이상방전을 차단한 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체관은 원통형, 다각형, 노즐형 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리장치.제 1 항에 있어서, 상기 유전체관은 직경이 0.5~100mm 이내로 그 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 5 항에 있어서, 상기 유전체관은 직경이 일정한 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 5 항에 있어서, 상기 유전체관은 하부로 갈수록 직경이 감소하는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 5 항에 있어서, 상기 유전체관은하부로 갈수록 직경이 증가하는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 5 항에 있어서, 상기 유전체관은 상부와 하부로 갈수록 직경이 증가하는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 1 항 내지 제 9 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 토치전극은 상기 피처리물의 표면처리 면적에 따라 복수개로 설치되는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 10 항에 있어서, 상기 토치전극은 일렬로 배열되는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 10 항에 있어서, 상기 토치전극은 복수개의 열로 배열되는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.제 10 항에 있어서, 상기 토치전극은 상기 피처리물 표면처리면의 굴곡에 따라 그 높이가 조절되는 것을 특징으로 하는 대면적 표면처리용 상압 플라즈마 표면처리장치.<
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