초록 ▼

본 발명은 복수 개의 반도체 스위치를 이용하지 않고서, 급격한 상승 시간과 매우 좁은 펄스폭을 갖는 고전압 펄스를 공급할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.고전압 펄스 발생 회로(10A)는 직류 전원(22)의 양단에 직렬 접속된 인덕터(32), 제1 반도체 스위치(34) 및 제2 반도체 스위치(14)와, 제1 반도체 스위치(34)의 애노드 단자(A)에 접속된 인덕터(32)의 타단(42)에 캐소드 단자가 접속되고 제1 반도체 스위치(34)의 게이트 단자에 애노드 단자가 접속된 다이오드(36)를 포함한다. 제2 반도체 스위치(14)의

본 발명은 복수 개의 반도체 스위치를 이용하지 않고서, 급격한 상승 시간과 매우 좁은 펄스폭을 갖는 고전압 펄스를 공급할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.고전압 펄스 발생 회로(10A)는 직류 전원(22)의 양단에 직렬 접속된 인덕터(32), 제1 반도체 스위치(34) 및 제2 반도체 스위치(14)와, 제1 반도체 스위치(34)의 애노드 단자(A)에 접속된 인덕터(32)의 타단(42)에 캐소드 단자가 접속되고 제1 반도체 스위치(34)의 게이트 단자에 애노드 단자가 접속된 다이오드(36)를 포함한다. 제2 반도체 스위치(14)의 턴 온에 의한 제1 반도체 스위치(34)의 도통에 따른 인덕터(32)에의 유도 에너지의 축적과, 제2 반도체 스위치(14)의 턴 오프에 의한 제1 반도체 스위치(34)의 턴 오프에 따른 인덕터(32)에서의 고전압 펄스의 발생이 행해진다.

대표청구항

직류 전원부의 양단에 직렬 접속된 인덕터, 제1 반도체 스위치 및 제2 반도체 스위치와,상기 제1 반도체 스위치의 애노드 단자에 일단이 접속된 상기 인덕터의 타단에 캐소드 단자가 접속되고 상기 제1 반도체 스위치의 게이트 단자에 애노드 단자가 접속된 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 발생 회로.

직류 전원부의 양단에 직렬 접속된 인덕터, 제1 반도체 스위치 및 제2 반도체 스위치와,상기 제1 반도체 스위치의 애노드 단자에 일단이 접속된 상기 인덕터의 타단에 캐소드 단자가 접속되고 상기 제1 반도체 스위치의 게이트 단자에 애노드 단자가 접속된 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 펄스 발생 회로.