초록 ▼

본 발명에서는 테트라키스 알콕시하프늄(HF(OR)4), 바람직하게는 테트라키스 T-부톡시하프늄을 소스물질로 하고 산소 또는 오존과 같은 반응가스와 반응하여 산화하프늄막을 증착시키는 방법을 개시한다.본 발명에 따르는 소스물질은 종래의 물질과 달리 질소원자를 포함하고 있지 않기 때문에, 형성된 산화하프늄막 내부에는 누설전류의 요인인 질소 불순물이 형성되지 않는다. 또한, 상기 소스물질은 종래물질에 비하여 반응가스와의 반응성이 좋아 원하는 두께의 산화하프늄막을 짧은 시간에 형성시킬 수 있어 반도체 제조공정의 효율성과 비용절감에 있어서 효

본 발명에서는 테트라키스 알콕시하프늄(HF(OR)4), 바람직하게는 테트라키스 T-부톡시하프늄을 소스물질로 하고 산소 또는 오존과 같은 반응가스와 반응하여 산화하프늄막을 증착시키는 방법을 개시한다.본 발명에 따르는 소스물질은 종래의 물질과 달리 질소원자를 포함하고 있지 않기 때문에, 형성된 산화하프늄막 내부에는 누설전류의 요인인 질소 불순물이 형성되지 않는다. 또한, 상기 소스물질은 종래물질에 비하여 반응가스와의 반응성이 좋아 원하는 두께의 산화하프늄막을 짧은 시간에 형성시킬 수 있어 반도체 제조공정의 효율성과 비용절감에 있어서 효과가 있다.

대표청구항 ▼

하프늄을 포함하는 유기 소스물질과 반응기체를 반응시켜 챔버 내에 안착된 기판으로 산화하프늄 박막을 증착시키는 방법에 있어서, 상기 하프늄을 포함하는 유기 소스물질은 테트라키스 알콕시 하프늄(Hf(OR)4)이고(여기서 R은 탄소수 3~4의 알킬기임)|상기 반응기체는 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 기체인 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서,상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 테트라키스 t-부톡시 하프늄인 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서, 상기 반응기체는 O2, O3, N2O, NO 또는 NH3 중에서 적어도 하나인

하프늄을 포함하는 유기 소스물질과 반응기체를 반응시켜 챔버 내에 안착된 기판으로 산화하프늄 박막을 증착시키는 방법에 있어서, 상기 하프늄을 포함하는 유기 소스물질은 테트라키스 알콕시 하프늄(Hf(OR)4)이고(여기서 R은 탄소수 3~4의 알킬기임)|상기 반응기체는 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 기체인 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서,상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 테트라키스 t-부톡시 하프늄인 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서, 상기 반응기체는 O2, O3, N2O, NO 또는 NH3 중에서 적어도 하나인 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서,상기 산화하프늄막은 250 ~ 650℃의 온도에서 증착되는 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서,상기 산화하프늄막은 0.01 ~ 10 Torr의 압력에서 증착되는 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서, 상기 테트라키스 알콕시 하프늄은 옥탄 용액에 혼합되는 산화하프늄 박박 증착 방법.제 1항에 있어서,상기 산소원자를 포함하는 반응가스에 불활성 가스인 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)를 더욱 포함하는 산화하프늄 박막 증착 방법.제 1항에 있어서,상기 테트라키스 알콕시하프늄은 챔버 내에 0.1 ~ 500 ㎎/분의 속도로 유입되고, 상기 반응가스는 5 ~ 3000 sccm의 유속으로 공급되는 산화하프늄 박막 증착 방법.