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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2003-0069315 (2003-10-06) |
| 공개번호 | 10-2005-0033323 (2005-04-12) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020030069315 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
하프늄 산화막의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 먼저, 하지층 상에 결정화된 고유전율층을 형성하되, 상기 고유전율층은 하프늄 부유 상태(HFXOY;Y=1, X＞0.5)가 되도록 형성한다. 이어서, 상기 결정화된 고유전율층 상에 상기 고유전율층의 결정구조를 따라 배향된 누설전류 방지층을 형성한다. 상기 고유전율층의 결정성 향상을 위하여 상기 고유전율층을 형성하기 전에 상기 하지층의 표면을 수소 또는 질소를 포함한 분위기에서 플라즈마 처리하는 것을 더 포함 할 수 있다. 또한, 상기 고유전율층을 형성한 후에 수소를 포함한 플라즈
하지층 상에 결정화된 고유전율층을 형성하되, 상기 고유전율층은 하프늄 부유상태(HFXOY;Y=1, X＞0.5)가 되도록 형성하고, 상기 결정화된 고유전율층 상에 상기 고유전율층의 결정구조를 따라 배향된 누설전류 방지층을 형성하는 것을 포함하는 하프늄 산화막의 제조방법.
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