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반도체성 탄소나노튜브의 선별 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • B82B-003/00
출원번호 10-2003-0079000 (2003-11-10)
공개번호 10-2005-0045057 (2005-05-17)
등록번호 10-0563368-0000 (2006-03-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1020030079000
발명자 / 주소
  • 정경택 / 경기도수원시권선구권선동****상록아파트***-***
  • 조석현 / 서울특별시광진구광장동현대**차파크빌아파트****동***호
  • 이영희 / 경기도수원시권선구금곡동***동성아파트***-****
  • 안계혁 / 경기도수원시장안구율전동***-**
출원인 / 주소
  • 삼성코닝 주식회사 / 경기도 수원시 영통구 이의동 ***-**
대리인 / 주소
  • 장성구; 오규환 (JANG, Seong Ku)
  • 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소); 서울 종로구 수송동 코리안리재보험빌딩*층(법무법인중앙)
심사청구여부 있음 (2003-11-10)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 반도체성과 금속성의 2가지 전기적 특성을 갖는 탄소나노튜브가 혼합된 상태로 성장되는 탄소나노튜브 중에서 반도체성 탄소나노튜브만을 선택적으로 분리해내는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 탄소나노튜브를 할로겐 화합물로 처리한 후 열처리하면 탄소나노튜브에 함유되어 있는 금속성 탄소나노튜브를 선택적으로 제거할 수 있어, 메모리 소자, 센서 등에 유용하게 사용될 수 있는 반도체성 탄소나노튜브만을 용이하게 분리해낼 수 있다.

대표청구항

금속성과 반도체성 탄소나노튜브가 혼합되어 성장되는 탄소나노튜브 중에서 반도체성 탄소나노튜브만을 분리해내는 방법에 있어서, 탄소나노튜브를 할로겐 화합물로 처리한 후 열처리하여 탄소나노튜브 중에 함유되어 있는 금속성 탄소나노튜브를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체성 탄소나노튜브의 선별 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] METHOD FOR MODIFYING CARBON NANOTUBE, CARBON NANOTUBE AND ELECTRON EMISSION SOURCE | HIRAOKA HIROYUKI, SHIRATORI YOSUKE, YAMAMOTO MASAHIDE, ITO SHIGEO, NAWAMAKI KENJI

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 불소 처리된 탄소재료를 이용한 고감도 가스센스 및 이의 제조방법 | 이영석, 강석창, 임지선
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