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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2003-0079000 (2003-11-10) |
공개번호 | 10-2005-0045057 (2005-05-17) |
등록번호 | 10-0563368-0000 (2006-03-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030079000 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-11-10) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체성과 금속성의 2가지 전기적 특성을 갖는 탄소나노튜브가 혼합된 상태로 성장되는 탄소나노튜브 중에서 반도체성 탄소나노튜브만을 선택적으로 분리해내는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 탄소나노튜브를 할로겐 화합물로 처리한 후 열처리하면 탄소나노튜브에 함유되어 있는 금속성 탄소나노튜브를 선택적으로 제거할 수 있어, 메모리 소자, 센서 등에 유용하게 사용될 수 있는 반도체성 탄소나노튜브만을 용이하게 분리해낼 수 있다.
금속성과 반도체성 탄소나노튜브가 혼합되어 성장되는 탄소나노튜브 중에서 반도체성 탄소나노튜브만을 분리해내는 방법에 있어서, 탄소나노튜브를 할로겐 화합물로 처리한 후 열처리하여 탄소나노튜브 중에 함유되어 있는 금속성 탄소나노튜브를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체성 탄소나노튜브의 선별 방법.
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