초록 ▼

본 발명은 반도체 현상공정의 현상액 분사방법에 관한 것으로, 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 빛에 감광시킨 후 이를 현상하는 공정에서, 현상액을 분사하는 노즐의 이동속도를 적절하게 설정함으로써, 웨이퍼상에 현상액이 골고루 분사되도록 하여, 웨이퍼에 국부적으로 임계치수의 변형이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이를 위한 본 발명은, 웨이퍼를 웨이퍼척에 안착시키는 단계, 상기 안착된 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 웨이퍼척의 가장자리에 배치된 노즐을 상기 웨이퍼의 중심으로 이동하면서 현상액을 분사하는 단계, 상

본 발명은 반도체 현상공정의 현상액 분사방법에 관한 것으로, 웨이퍼에 도포된 포토레지스트를 빛에 감광시킨 후 이를 현상하는 공정에서, 현상액을 분사하는 노즐의 이동속도를 적절하게 설정함으로써, 웨이퍼상에 현상액이 골고루 분사되도록 하여, 웨이퍼에 국부적으로 임계치수의 변형이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이를 위한 본 발명은, 웨이퍼를 웨이퍼척에 안착시키는 단계, 상기 안착된 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 웨이퍼척의 가장자리에 배치된 노즐을 상기 웨이퍼의 중심으로 이동하면서 현상액을 분사하는 단계, 상기 노즐이 상기 웨이퍼상의 특정한 위치에 도달하는 순간 현상액의 분사를 중지하고 웨이퍼의 현상이 끝나면 세척하는 단계로 이루어지는 반도체 현상공정의 현상액 분사방법에 있어서, 상기 현상액을 분사하는 단계에서, 노즐의 이동속도는 노즐이 이동하는 거리를 노즐에서 현상액을 분사하는 시간으로 나눈 값이 되도록 하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

웨이퍼를 웨이퍼척에 안착시키는 단계, 상기 안착된 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 웨이퍼척의 가장자리에 배치된 노즐을 상기 웨이퍼의 중심으로 이동하면서 현상액을 분사하는 단계, 상기 노즐이 상기 웨이퍼상의 특정한 위치에 도달하는 순간 현상액의 분사를 중지하고 웨이퍼의 현상이 끝나면 세척하는 단계로 이루어지는 반도체 현상공정의 현상액 분사방법에 있어서, 상기 현상액을 분사하는 단계에서, 노즐의 이동속도는 노즐이 이동하는 거리를 노즐에서 현상액을 분사하는 시간으로 나눈 값이 되도록 하는 것을 특징으로 하는

웨이퍼를 웨이퍼척에 안착시키는 단계, 상기 안착된 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 웨이퍼척의 가장자리에 배치된 노즐을 상기 웨이퍼의 중심으로 이동하면서 현상액을 분사하는 단계, 상기 노즐이 상기 웨이퍼상의 특정한 위치에 도달하는 순간 현상액의 분사를 중지하고 웨이퍼의 현상이 끝나면 세척하는 단계로 이루어지는 반도체 현상공정의 현상액 분사방법에 있어서, 상기 현상액을 분사하는 단계에서, 노즐의 이동속도는 노즐이 이동하는 거리를 노즐에서 현상액을 분사하는 시간으로 나눈 값이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 현상공정의 현상액 분사방법.