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연합인증

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이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

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액정 디스클리네이션 방지 장치 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G02F-001/136
출원번호 10-2004-0001500 (2004-01-09)
공개번호 10-2005-0073661 (2005-07-18)
등록번호 10-0671522-0000 (2007-01-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1020040001500
발명자 / 주소
  • 박지연 / 경기도성남시분당구야탑동장미마을현대아파트***동****호
  • 김도영 / 서울특별시서대문구홍은*동***-**호*층
출원인 / 주소
  • 하이디스 테크놀로지 주식회사 / 경기도 이천시 부발읍 아미리 산 ***-*
대리인 / 주소
  • 강성배 (Sung-Bae KANG)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 원빌딩 **층 ****호
심사청구여부 있음 (2004-06-25)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 리페어된 화소 불량을 시야각을 주고 상하 좌우로 검사시 저휘점 발생을 방지하는 액정 디스클리네이션 방지 장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 액정 디스클리네이션 방지 장치에 따르면, 투명 전극은 데이터 라인 및 게이트 라인과 중첩하여 증가된 면적을 가지도록 형성된다. 박막 트랜지스터는 데이터 라인과 게이트 라인의 교차점에 배치된다. 화소 전극은 리페어된 화소 및 주변 화소가 형성되며, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 레이저 용접된다. 스토리지 전극은 화소 전극을 가로질러 형성되며, 소정 형성된 다수의 용접점을 갖는다

대표청구항

데이터 라인 및 게이트 라인과 중첩하여 증가된 면적을 가지도록 형성되는 투명 전극; 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인의 교차점에 배치되는 박막 트랜지스터; 및 리페어된 화소 및 주변 화소가 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 레이저 용접된 화소 전극; 상기 화소 전극을 가로질러 형성되며 소정 간격을 형성된 다수의 용접점을 갖는 스토리지 전극을 포함하고, 보호막의 비아홀 형성시 상기 데이터 라인과 상기 화소

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