초록 ▼

본 발명은 광섬유 제조방법에 관한 것으로서, 특히 클래드층의 증착부피를 낮게 설정하는 것에 의해 생산성을 높일 수 있는 낮은 수산기 이온을 함유한 광섬유를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 MCVD공정에 사용되는 이동 열원으로서 전기 저항로와 같은 무수소 열원을 사용하고, 광섬유 모재의 중심부 코어층의 증착부피를 클래드층의 증착부피에 대해 1/3이상 그리고 1/1.2 이하로 설정하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 광섬유의 경우, OH-기에

본 발명은 광섬유 제조방법에 관한 것으로서, 특히 클래드층의 증착부피를 낮게 설정하는 것에 의해 생산성을 높일 수 있는 낮은 수산기 이온을 함유한 광섬유를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 MCVD공정에 사용되는 이동 열원으로서 전기 저항로와 같은 무수소 열원을 사용하고, 광섬유 모재의 중심부 코어층의 증착부피를 클래드층의 증착부피에 대해 1/3이상 그리고 1/1.2 이하로 설정하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 광섬유의 경우, OH-기에 의한 흡수 손실이 1.31㎛에서 0.340DB/KM 이하, 1.38㎛에서 0.400DB/KM이하, 1.55㎛에서 0.200DB/KM이하로 나타난다.

대표청구항 ▼

수정화학기상증착법(MCVD)을 이용한 광섬유 제조방법으로서, 낮은 수산화 이온(OH-) 레벨을 갖는 석영튜브내에 클래딩 형성물질을 투입하면서 무수소 열원을 이용하여 튜브를 가열함으로써 증착부피 VCLAD를 갖는 클래드층을 증착하는 단계와; 상기 클래드층이 증착되어 있는 튜브 내면에 코어 형성물질을 투입하면서 무수소 열원을 이용하여 튜브를 가열함으로써 증착부피 VCORE를 갖는 코어층을 증착하는 단계와; 이때, 상기 클래드층의 증착부피(VCLAD)에

수정화학기상증착법(MCVD)을 이용한 광섬유 제조방법으로서, 낮은 수산화 이온(OH-) 레벨을 갖는 석영튜브내에 클래딩 형성물질을 투입하면서 무수소 열원을 이용하여 튜브를 가열함으로써 증착부피 VCLAD를 갖는 클래드층을 증착하는 단계와; 상기 클래드층이 증착되어 있는 튜브 내면에 코어 형성물질을 투입하면서 무수소 열원을 이용하여 튜브를 가열함으로써 증착부피 VCORE를 갖는 코어층을 증착하는 단계와; 이때, 상기 클래드층의 증착부피(VCLAD)에 대해 적어도 1/3이상의 증착부피(VCORE)를 갖도록 상기 코어층과 클래드층을 증착하며; 상기 코어층과 클래드층이 형성되어 있는 석영튜브를 붕괴하여 모재봉을 생성하는 단계와; 상기 모재봉의 외경 보다 큰 내경을 갖는 석영관내에 상기 모재봉을 배치하는 단계와; 상기 석영관 및 모재봉을 이동 열원에 노출시켜 오버클래딩하는 단계와; 오버클래딩된 광섬유 모재로부터 광섬유 심선을 인선하는 단계를 포함하고; 이렇게 제조된 광섬유의 흡수손실이 1.31㎛에서 0.340DB/KM이하, 1.55㎛에서 0.200DB/KM이하, 1.38㎛에서 0.400DB/KM이하인 것을 특징으로 하는 광섬유 제조방법.