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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2004-0031229 (2004-05-04) |
| 공개번호 | 10-2005-0106158 (2005-11-09) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020040031229 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2004-05-04) |
| 심사진행상태 | 취하(등록결정전 취하서제출) |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명은 대기압 하에서의 균일한 저온 플라즈마에 의하여 활성탄의 표면을 개질하여 흡착능을 향상시키는 표면처리 방법 및 장치에 관한 것이다. 또 다른 처리방식인 화학약품 및 진공 플라즈마 방식의 경우 각각 활성탄의 유용한 기공구조 손상 및 다량의 폐기물 발생, 생산성 및 경제성 저하 등의 단점이 있으나 대기압 하에서의 균일한 저온 플라즈마를 적용할 경우 플라즈마 내의 다량의 활성종에 의한 처리효과 증대 이외에 건식 방식에 의한 처리 부산물 저감, 기공 손상 저감, 연속 처리 방식 채택에 의한 생산성 및 경제성 향상 등의 장점을 갖
저온 플라즈마를 발생시키는, 외부 전원의 양단에 연결되는 두 종류의 마주보고 있는 한 쌍의 전극과; 상기 전극 중 적어도 하나의 전극에 부착되는 유전체 장벽과; 상기 마주보고 있는 전극의 공간 내로 기체를 주입하는 기체 주입부와; 상기 두 종류의 전극에 전력을 공급하는 전원장치를 포함하는, 활성탄 표면 개질 처리 장치.
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