초록 ▼

본 발명은 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 구리 필름 상의 구리 화합물(CU COMPOUND) 이물질을 제거하기 위한 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법은, A) 제타 포텐셜(ZETA POTENTIAL)이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및 B) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(SPIN SCRUBBER) 처리하여

본 발명은 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 구리 필름 상의 구리 화합물(CU COMPOUND) 이물질을 제거하기 위한 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법은, A) 제타 포텐셜(ZETA POTENTIAL)이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및 B) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(SPIN SCRUBBER) 처리하여 세정하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 구리 화합물은 NH4OH 또는 테트라 메틸암모늄 수산화물(TMH) 알칼리 용액을 사용하여 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화되며, 상기 스핀 스크러버는 CO2가 함유된 DIW 초순수를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 제타 포텐셜이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질이 웨이퍼 상에 존재할 경우, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시킨 후, 구리 필름 상의 구리 화합물 이물질을 제거함으로써, 반도체 소자의 품질을 향상시키고 수율을 향상시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법에 있어서, A) 제타 포텐셜(ZETA POTENTIAL)이 네거티브(-)인 구리 화합물(CU COMPOUND) 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및 B) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(SPIN SCRUBBER) 처리하여 세정하는 단계 를 포함하는 구리 화합물 이물질 제거를

반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법에 있어서, A) 제타 포텐셜(ZETA POTENTIAL)이 네거티브(-)인 구리 화합물(CU COMPOUND) 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및 B) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(SPIN SCRUBBER) 처리하여 세정하는 단계 를 포함하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.